Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs

Toshiba Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs is an extensive lineup of Power MOSFETs covering various automotive applications in 12V to 48V battery systems. Toshiba has been in the discrete automotive industry since the 1960s, starting with rectifiers and then Automotive MOSFETs in the 1990s. With performance and reliability, all of Toshiba’s automotive products go above and beyond AEC-Q101 standards.

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Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
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Toshiba

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TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
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TJ40S04M3L,LXHQ
Toshiba
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Toshiba
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XPN12006NC,L1XHQ
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Toshiba
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Toshiba
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Toshiba
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TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba
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TK1R4F04PB,LXGQ

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Toshiba
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TPH1R104PB,L1XHQ

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XPN7R104NC,L1XHQ
Toshiba
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XPN7R104NC,L1XHQ

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TK90S06N1L,LXHQ
Toshiba
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TK90S06N1L,LXHQ

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757-TK90S06N1L,LXHQ

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XPN3R804NC,L1XHQ
Toshiba
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XPN3R804NC,L1XHQ

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757-XPN3R804NC,L1XHQ

Toshiba

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPW6R30ANB,L1XHQ
Toshiba
1: $3.78
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XPW6R30ANB,L1XHQ

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757-XPW6R30ANB,L1XHQ

Toshiba

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100 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK65S04N1L,LXHQ
Toshiba
1: $2.46
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TK65S04N1L,LXHQ

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757-TK65S04N1L,LXHQ

Toshiba

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$1.57

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Toshiba
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TPWR7904PB,L1XHQ

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757-TPWR7904PB,L1XHQ

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TK33S10N1L,LQ
Toshiba
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TK33S10N1L,LQ

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757-TK33S10N1LLQ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK11S10N1L,LQ
Toshiba
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TK11S10N1L,LQ

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757-TK11S10N1LLQ

Toshiba

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK33S10N1Z,LXHQ
Toshiba
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TK33S10N1Z,LXHQ

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

33 A

9.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

28 nC

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK15S04N1L,LQ
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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

15 A

13.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
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TK1R5R04PB,LXGQ

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757-TK1R5R04PB,LXGQ

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ50S06M3L,LXHQ
Toshiba
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DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

124 nC

+ 175 C

90 W

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPH3R114MC,L1XHQ
Toshiba
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XPH3R114MC,L1XHQ

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757-XPH3R114MC,L1XHQ

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SMD/SMT

SOP-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3.1 mOhms

- 20 V, 10 V

2.1 V

230 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

7 A
8 A
10 A
11 A
15 A
20 A
25 A
30 A
33 A
40 A
45 A
50 A
55 A
60 A
65 A
80 A
90 A
100 A
120 A
150 A

790 uOhms
900 uOhms
1.14 mOhms
1.35 mOhms
1.5 mOhms
1.8 mOhms
2.3 mOhms
3.1 mOhms
3.3 mOhms
3.8 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms
6.3 mOhms
6.5 mOhms
6.7 mOhms
7.1 mOhms
9.1 mOhms
9.6 mOhms
9.7 mOhms

7.1 nC
10 nC
15 nC
19 nC
21 nC
23 nC
26 nC
28 nC
33 nC
35 nC
36 nC
37 nC
39 nC
49 nC
52 nC
55 nC
64 nC
76 nC
80 nC
81 nC