TQMx Automotive Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMx Automotive Power MOSFETs are designed by trench technology for single and dual channels. These P dual channels are compatible with conventional PDFN packages. These MOSFETs feature a flat lead package suitable for compact designs with good thermal performance and a Wettable Flank (WF) for Automated Optical Inspection (AOI). The Taiwan Semiconductor TQMx MOSFET family qualifies for the AEC-Q101 standards to meet the high-performance requirement for automotive applications. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C and are halogen-free according to IEC 61249-2-21. Typical applications include 12V automotive systems, solenoid and motor control, automotive transmission control, and DC-DC converters.

Resultados: 64
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET 7,260En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 40 V 41 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 20 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET 4,733En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-6 N-Channel 2 Channel 60 V 6 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 20 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET 6,006En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-6 N-Channel 2 Channel 40 V 10 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 26 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET 4,928En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-6 N-Channel 2 Channel 60 V 6 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 24 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET 4,465En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 13 Ohms - 20 V, 20 V 3.8 V 40 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET 3,901En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 87 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET 4,924En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 25 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET 5,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 40 V 15 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET 4,196En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 20 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET 4,740En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 40 V 24 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 118 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET 5,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN-56 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 89 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 4.8V 1,910En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DFN56U-8 N-Channel 1 Channel 100 V 146 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 24 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 7.5V 2,428En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DFN56U-8 N-Channel 1 Channel 100 V 113 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 18 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 52A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 5,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 80 V 52 A 14.5 mOhms 20 V 3.6 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 34A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 5,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 100 V 34 A 24 mOhms 20 V 3.6 V 6 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 25V 2,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DFN56U-8 N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 5.5 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 17,885En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 3 Ohms 20 V 2.5 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 568 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.38A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8,194En existencias
18,000Se espera el 28/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23 N-Channel 1 Channel 60 V 380 mA 3 Ohms 20 V 2.5 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 806 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.26A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 18,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363 N-Channel 1 Channel 60 V 260 mA 3 Ohms 20 V 2.5 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 376 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET 4,972En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 40 V 214 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 64 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET 4,993En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.9 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET 4,980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 40 V 174 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET 5,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 16 V, 16 V 1.9 V 63.3 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET 2,473En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 40 V 113 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET 2,496En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56 Dual N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 13.6 nC - 55 C + 175 C 55.6 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel