Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
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D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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600 V
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90 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
80 nC
- 55 C
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255 W
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10
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500
$0.667
2,500
$0.515
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$0.608
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DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
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600 V
14.7 A
400 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
32 nC
- 40 C
+ 150 C
112 W
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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600 V
16 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
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IPD60R800CEAUMA1
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726-IPD60R800CEAUMA1
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$1.48
10
$0.935
100
$0.615
500
$0.476
2,500
$0.328
10,000
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$0.432
10,000
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
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600 V
8.4 A
800 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
17.2 nC
- 40 C
+ 150 C
74 W
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726-IPB60R199CP
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$3.60
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$3.13
500
$2.81
1,000
$2.38
2,000
$2.24
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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600 V
16 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
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CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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IPB60R165CP
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726-IPB60R165CP
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1
$6.15
10
$4.07
100
$3.19
500
$2.83
1,000
$2.41
2,000
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2,000
$2.28
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
21 A
150 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
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CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB50R140CP
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789 En existencias
500 Se espera el 05/03/2026
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726-IPB50R140CP
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789 En existencias
500 Se espera el 05/03/2026
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$5.97
10
$3.95
100
$3.09
500
$2.76
1,000
$2.33
2,000
$2.20
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
23 A
130 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
64 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB50R199CPATMA1
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1:
$4.80
447 En existencias
2,000 Se espera el 23/02/2026
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447 En existencias
2,000 Se espera el 23/02/2026
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$4.80
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$3.13
100
$2.44
500
$2.05
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$1.59
2,000
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10,000
$1.52
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
17 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
45 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
1:
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8,765 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K8CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
8,765 En existencias
1
$1.92
10
$1.21
100
$0.809
500
$0.64
2,500
$0.467
10,000
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1,000
$0.582
10,000
$0.45
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
1.9 A
2.8 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
42 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP
IPL60R385CP
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1:
$1.38
2,106 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R385CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP
2,106 En existencias
1
$1.38
10
$1.37
100
$1.34
1,000
$1.13
3,000
$1.09
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Mult.: 1
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SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
27 A
385 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
17 nC
- 40 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R1K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
$1.22
13,928 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K0CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
13,928 En existencias
1
$1.22
10
$0.762
100
$0.497
500
$0.382
2,500
$0.278
5,000
Ver
1,000
$0.345
5,000
$0.259
10,000
$0.251
25,000
$0.239
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Mult.: 1
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
6.8 A
1 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
13 nC
- 40 C
+ 150 C
61 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
IPL60R199CP
Infineon Technologies
1:
$5.24
2,495 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R199CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
2,495 En existencias
1
$5.24
10
$3.46
100
$2.43
500
$2.18
1,000
Ver
3,000
$1.78
1,000
$2.07
3,000
$1.78
24,000
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Si
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ThinPAK-5
N-Channel
1 Channel
600 V
16.4 A
199 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
32 nC
- 40 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2
IPD50R399CPATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.72
2,236 En existencias
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726-IPD50R399CPATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2
2,236 En existencias
1
$2.72
10
$1.74
100
$1.17
500
$0.935
2,500
$0.75
5,000
Ver
1,000
$0.87
5,000
$0.723
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Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
9 A
399 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
$1.14
4,737 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,737 En existencias
1
$1.14
10
$0.714
100
$0.463
500
$0.355
2,500
$0.251
5,000
Ver
1,000
$0.321
5,000
$0.235
10,000
$0.218
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Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
6.6 A
2.25 Ohms
- 20 V, 20 V
3 V
10.5 nC
- 55 C
+ 150 C
53 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
+1 imagen
IPW50R250CP
Infineon Technologies
1:
$3.89
172 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW50R250CP
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
172 En existencias
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1
$3.89
10
$3.06
100
$2.43
480
$2.03
1,200
Ver
1,200
$1.74
2,640
$1.65
5,040
$1.60
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Mult.: 1
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Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
500 V
13 A
220 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
114 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
$1.59
2,588 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R650CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2,588 En existencias
1
$1.59
10
$0.771
100
$0.547
500
$0.455
2,500
$0.361
5,000
Ver
1,000
$0.419
5,000
$0.354
10,000
$0.345
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Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
9.9 A
540 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
20.5 nC
- 40 C
+ 150 C
82 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
IPD80R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.34
1,780 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K4CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
1,780 En existencias
1
$2.34
10
$1.50
100
$0.998
500
$0.789
2,500
$0.615
5,000
Ver
1,000
$0.722
5,000
$0.589
25,000
$0.58
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Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
3.9 A
1.4 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
1:
$0.988
7,857 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
7,857 En existencias
1
$0.988
10
$0.615
100
$0.398
500
$0.304
3,000
$0.211
6,000
Ver
1,000
$0.272
6,000
$0.195
9,000
$0.181
24,000
$0.178
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
600 V
5 A
3.51 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
9.4 nC
- 40 C
+ 150 C
5 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R165CP
Infineon Technologies
1:
$6.15
375 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R165CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
375 En existencias
Embalaje alternativo
1
$6.15
10
$4.07
100
$3.25
500
$2.74
1,000
Ver
1,000
$2.42
2,500
$2.33
5,000
$2.28
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
21 A
150 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
1:
$5.16
585 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R165CPXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
585 En existencias
Embalaje alternativo
1
$5.16
10
$4.36
25
$2.99
100
$2.78
500
Ver
500
$2.26
1,000
$2.18
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
21 A
150 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
+1 imagen
IPW60R075CP
Infineon Technologies
1:
$13.01
271 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R075CP
NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
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116 nC
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650 V
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15.3 nC
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