Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs

Toshiba 80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs provide high-speed switching, a small gate charge, and low power dissipation. The U-MOS X-H MOSFETs offer an excellent drain-source on-resistance (R_DS(ON)) x transmission resistance x input capacitance (C_iss) value leading to high conductivity and low gate driver losses. The reduced output capacitance (C_OSS) lowers the output charge (Q_OSS), increasing the switching efficiency of these devices. These MOSFETs are suitable for switching voltage regulators, motor drivers, and high-efficiency DC-DC converters.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm

TK2R4E08QM,S1X
Toshiba
1: $6.38
894En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK2R4E08QM,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK2R4E08QMS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm

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$6.38

$3.03

$2.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.44 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

178 nC

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm

TK5R1P08QM,RQ
Toshiba
1: $3.04
4,465En existencias

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TK5R1P08QM,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK5R1P08QMRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm

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Cinta cortada

$3.04

$1.96

$1.34

$1.07

$1.02

Envase tipo carrete

$0.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-2 (TO-252-2)

N-Channel

1 Channel

80 V

84 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm

TK5R3E08QM,S1X
Toshiba
1: $3.38
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TK5R3E08QM,S1X

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757-TK5R3E08QMS1X

Toshiba

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5,924En existencias

$3.38

$1.40

$1.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

55 nC

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm

TK3R2A08QM,S4X
Toshiba
1: $4.49
71En existencias

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TK3R2A08QM,S4X

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757-TK3R2A08QMS4X

Toshiba

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$2.60

$1.89

$1.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

80 V

92 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

102 nC

+ 175 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm

TK2R4A08QM,S4X
Toshiba
1: $5.71
7En existencias

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TK2R4A08QM,S4X

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757-TK2R4A08QMS4X

Toshiba

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$2.68

$2.54

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

2.44 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

179 nC

+ 175 C

47 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm

TK5R1A08QM,S4X
Toshiba
1: $3.16
268En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5R1A08QM,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK5R1A08QMS4X

Toshiba

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268En existencias

$3.16

$1.55

$1.47

$1.06

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

80 V

70 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

54 nC

+ 175 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm

TK6R8A08QM,S4X
Toshiba
1: $2.65
488En existencias

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TK6R8A08QM,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK6R8A08QMS4X

Toshiba

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488En existencias

$2.65

$1.28

$1.24

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$0.836

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TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

80 V

58 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

39 nC

+ 175 C

41 W

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TK6R9P08QM,RQ
Toshiba
1: $2.56
129En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
TK6R9P08QM,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK6R9P08QMRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm

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Cinta cortada

$2.56

$1.64

$1.10

$0.874

$0.801

Envase tipo carrete

$0.762

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-2 (TO-252-2)

N-Channel

1 Channel

80 V

62 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

39 nC

+ 175 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm

TK7R0E08QM,S1X
Toshiba
1: $2.95
435En existencias

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TK7R0E08QM,S1X

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757-TK7R0E08QMS1X

Toshiba

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$1.44

$1.21

$1.02

Ver

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

64 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

39 nC

+ 175 C

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm

TPH3R10AQM,LQ
Toshiba
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20,000Se espera el 11/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPH3R10AQM,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH3R10AQMLQ

Toshiba

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20,000Se espera el 11/05/2026

Cinta cortada

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$1.01

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Mult.: 1

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

210 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm

TK3R3E08QM,S1X
Toshiba
1: $4.56
150Se espera el 13/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK3R3E08QM,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R3E08QMS1X

Toshiba

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150Se espera el 13/04/2026

$4.56

$2.30

$2.07

$1.76

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

110 nC

+ 175 C

230 W

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