Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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IPB60R045P7ATMA1
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IPD60R180P7ATMA1
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IPD60R180P7ATMA1

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CoolMOS

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IPL60R125P7AUMA1
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IPL60R125P7AUMA1

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726-IPL60R125P7AUMA1

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$4.80

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IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
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2,450En existencias

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IPL60R185P7AUMA1

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726-IPL60R185P7AUMA1

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2,450En existencias

Cinta cortada

$3.64

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Envase tipo carrete

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Enhancement

CoolMOS

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IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.43
947En existencias

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IPP60R099P7XKSA1

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726-IPP60R099P7XKSA1

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947En existencias

$5.43

$2.80

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1 Channel

600 V

31 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.52
5,764En existencias

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IPP60R180P7XKSA1

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726-IPP60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

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5,764En existencias

$3.52

$1.68

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

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72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $15.65
310En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024P7XKSA1

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310En existencias

$15.65

$9.10

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

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164 nC

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.51
1,067En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

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1,067En existencias

$5.51

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$2.78

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1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.77
370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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370En existencias

$3.77

$1.87

$1.69

$1.35

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1 Channel

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23.8 A

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Enhancement

CoolMOS

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IPAN60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
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783En existencias

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IPAN60R180P7SXKSA1

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726-IPAN60R180P7SXKS

Infineon Technologies

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783En existencias

$2.94

$1.43

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
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1,000Se espera el 10/03/2026

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IPB60R080P7ATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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611En existencias

1,000Se espera el 10/03/2026

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180P7ATMA1

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Infineon Technologies

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980En existencias

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

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