Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 40

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies
1: $7.57
92En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R085P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R085P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

92En existencias

Cinta cortada

$7.57

$5.06

$3.63

$3.28

Envase tipo carrete

$3.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

73 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 40 C

+ 150 C

154 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.45
23,213En existencias
9,360Se espera el 02/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

23,213En existencias

9,360Se espera el 02/07/2026

$5.45

$3.56

$2.65

$2.22

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $8.01
15,903En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

15,903En existencias

5,000En pedido

$8.01

$5.25

$3.86

$3.43

$3.04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $13.33
4,398En existencias
2,400Se espera el 02/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

4,398En existencias

2,400Se espera el 02/07/2026

$13.33

$9.10

$7.50

$6.68

$6.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

76 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.94
1,335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R080P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R080P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,335En existencias

Cinta cortada

$7.94

$5.20

$3.82

$3.41

Envase tipo carrete

$3.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.43
2,803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,803En existencias

Cinta cortada

$4.43

$2.87

$1.99

$1.65

Envase tipo carrete

$1.53

$1.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.03
2,248En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,248En existencias

$7.03

$3.67

$3.34

$2.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.95
2,013En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,013En existencias

$5.95

$3.90

$2.90

$2.43

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $10.88
395En existencias
2,000Se espera el 16/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R045P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R045P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

395En existencias

2,000Se espera el 16/07/2026

Cinta cortada

$10.88

$7.28

$5.85

$5.20

Envase tipo carrete

$4.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

120 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $9.57
1,446En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R060P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,446En existencias

Cinta cortada

$9.57

$6.27

$4.62

$4.10

Envase tipo carrete

$3.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.25
1,212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,212En existencias

Cinta cortada

$7.25

$4.75

$3.54

$2.96

Envase tipo carrete

$2.76

$2.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.95
5,291En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R120P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R120P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

5,291En existencias

Cinta cortada

$5.95

$3.90

$2.91

$2.43

Envase tipo carrete

$2.26

$2.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.67
987En existencias
12,500Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

987En existencias

12,500Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

$3.67

$2.26

$1.55

$1.26

$1.19

Envase tipo carrete

$1.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: $2.95
11,771En existencias
7,500Se espera el 03/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

11,771En existencias

7,500Se espera el 03/12/2026

Cinta cortada

$2.95

$1.87

$1.26

$1.02

Envase tipo carrete

$0.858

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1: $10.19
3,561En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R065P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

3,561En existencias

Cinta cortada

$10.19

$6.38

$5.03

$4.85

$4.56

Envase tipo carrete

$4.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

53 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 40 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1: $6.37
2,316En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R105P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,316En existencias

Cinta cortada

$6.37

$4.25

$3.06

$2.67

Envase tipo carrete

$2.48

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

137 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1: $5.29
4,724En existencias
6,000Se espera el 16/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R125P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

4,724En existencias

6,000Se espera el 16/07/2026

Cinta cortada

$5.29

$3.54

$2.60

$2.20

Envase tipo carrete

$1.99

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

104 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

111 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
1: $4.37
4,285En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

4,285En existencias

Cinta cortada

$4.37

$2.82

$1.94

$1.57

Envase tipo carrete

$1.42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

149 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.03
2,388En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,388En existencias

$4.03

$2.61

$1.81

$1.51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $18.38
440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

440En existencias

$18.38

$12.04

$10.34

$9.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

101 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

164 nC

- 55 C

+ 150 C

291 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $9.35
3,280En existencias
240Se espera el 02/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

3,280En existencias

240Se espera el 02/07/2026

$9.35

$6.25

$5.03

$4.47

$3.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $8.11
723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

723En existencias

$8.11

$5.32

$3.91

$3.47

$3.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.54
299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

299En existencias

$4.54

$2.95

$2.07

$1.73

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

374 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $3.74
778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R180P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

778En existencias

$3.74

$2.39

$1.63

$1.38

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $12.36
233En existencias
240Se espera el 02/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

233En existencias

240Se espera el 02/07/2026

$12.36

$7.67

$6.46

$5.56

$5.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte