Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Infineon Technologies
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IPB60R055CFD7ATMA1

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IPD60R170CFD7ATMA1

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726-IPD60R170CFD7ATM

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IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

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Infineon Technologies

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465En existencias

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Tube

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Infineon Technologies
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240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA65R029CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R029CFD7XK

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$15.94

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Tube

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IPW60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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191En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPW60R105CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R105CFD7XKS

NRND

Infineon Technologies

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$6.37

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Tube

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IPB60R040CFD7ATMA1
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840En existencias
2,000Se espera el 02/03/2026

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IPB60R040CFD7ATMA1

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840En existencias

2,000Se espera el 02/03/2026

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$4.65

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPD60R145CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R145CFD7ATM

Infineon Technologies

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$4.19

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$2.02

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Envase tipo carrete

$1.40

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: $8.79
1,029En existencias
3,000Se espera el 11/06/2026

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IPL60R060CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R060CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,029En existencias

3,000Se espera el 11/06/2026

Cinta cortada

$8.79

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$5.20

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Envase tipo carrete

$3.95

MouseReel Disponible

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: $6.96
1,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R075CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,784En existencias

Cinta cortada

$6.96

$5.03

$3.63

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$2.89

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

66 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 40 C

+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.59
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N.º de artículo del Fabricante
IPP60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,087En existencias

$7.59

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$3.52

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TO-220-3

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1 Channel

600 V

31 A

57 mOhms

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156 W

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: $8.79
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IPT60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R045CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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52 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R018CFD7XKSA1
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- 55 C

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Recursos

Soporte

6 A
7 A
8 A
9 A
11 A
14 A
16 A
18 A
21 A
22 A
24 A
25 A
28 A
31 A
33 A
36 A
38 A
40 A
44 A
50 A

18 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
29 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
66 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
105 mOhms
115 mOhms
125 mOhms
140 mOhms

24 W
26 W
32 W
43 W
52 W
75 W
76 W
83 W
85 W
92 W
95 W
106 W
124 W
125 W
127 W
140 W
147 W
156 W
160 W
171 W