Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPD60R170CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$4.10
3,806 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R170CFD7ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3,806 En existencias
1
$4.10
10
$2.67
100
$1.83
500
$1.53
1,000
$1.43
2,500
$1.34
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
14 A
144 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
28 nC
- 55 C
+ 150 C
76 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R105CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$6.29
1,332 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R105CFD7XTM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,332 En existencias
1
$6.29
10
$4.16
100
$2.95
500
$2.78
1,000
$2.68
2,000
$2.38
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
105 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
140 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
$5.16
2,990 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R160CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,990 En existencias
1
$5.16
10
$3.29
100
$2.44
500
$2.03
1,000
$1.95
3,000
$1.83
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
16 A
160 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
31 nC
- 40 C
+ 150 C
95 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R055CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$10.40
2,061 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R055CFD7ATM
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,061 En existencias
1
$10.40
10
$6.89
100
$5.16
500
$5.06
1,000
$4.71
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
38 A
55 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
79 nC
- 55 C
+ 150 C
178 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
$4.64
3,361 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3,361 En existencias
1
$4.64
10
$2.76
100
$2.07
500
$1.72
1,000
$1.70
3,000
$1.59
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
14 A
153 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
28 nC
- 40 C
+ 150 C
85 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R055CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$9.37
2,492 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R055CFD7XTM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,492 En existencias
1
$9.37
10
$6.05
100
$4.59
500
$4.36
1,000
$4.32
2,000
$4.06
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
600 V
44 A
55 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
67 nC
- 55 C
+ 150 C
236 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$9.62
3,226 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3,226 En existencias
1
$9.62
10
$5.53
100
$4.63
480
$4.20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
31 A
57 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
67 nC
- 55 C
+ 150 C
156 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
$7.15
2,989 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R095CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,989 En existencias
1
$7.15
10
$4.50
100
$2.82
3,000
$2.82
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
25 A
95 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
51 nC
- 40 C
+ 150 C
147 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$4.54
1,683 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R170CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,683 En existencias
1
$4.54
10
$2.28
100
$2.05
500
$1.65
1,000
$1.52
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
14 A
144 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
28 nC
- 55 C
+ 150 C
75 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R024CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$19.06
373 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
373 En existencias
1
$19.06
10
$11.60
100
$10.44
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
77 A
24 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
183 nC
- 55 C
+ 150 C
320 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R070CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$8.92
831 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R070CFD7ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
831 En existencias
1
$8.92
10
$5.73
100
$4.36
500
$4.12
1,000
$3.85
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
31 A
70 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
67 nC
- 55 C
+ 150 C
156 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$10.82
268 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R060CFD7SA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
268 En existencias
1
$10.82
10
$6.41
100
$5.60
480
$4.93
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
36 A
60 mOhms
- 10 V, 10 V
3.5 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
171 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$4.55
978 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R170CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
978 En existencias
1
$4.55
10
$2.28
100
$2.05
500
$1.66
1,000
$1.53
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
8 A
144 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
28 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$16.87
136 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R029CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
136 En existencias
1
$16.87
10
$10.58
100
$9.37
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
700 V
69 A
29 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
145 nC
- 55 C
+ 150 C
305 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$9.20
1,980 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R075CFD7XTM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,980 En existencias
1
$9.20
10
$6.20
100
$4.50
500
$4.24
1,000
$3.97
2,000
$3.95
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
650 V
33 A
75 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
188 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$12.18
533 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
533 En existencias
1
$12.18
10
$8.32
100
$6.86
480
$6.11
1,200
$5.72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
38 A
55 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
79 nC
- 55 C
+ 150 C
178 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZA65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$20.25
211 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R029CFD7XK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
211 En existencias
1
$20.25
10
$15.43
100
$12.86
480
$11.45
1,200
$10.71
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
69 A
29 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
145 nC
- 55 C
+ 150 C
305 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R040CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$13.03
3,564 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040CFD7ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3,564 En existencias
1
$13.03
10
$8.89
100
$7.33
500
$6.54
1,000
$6.11
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
50 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
107 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$5.24
3,404 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R145CFD7ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3,404 En existencias
1
$5.24
10
$3.43
100
$2.56
500
$2.15
1,000
$1.99
2,500
$1.87
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
16 A
145 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
$10.49
800 En existencias
3,000 Se espera el 30/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R060CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
800 En existencias
3,000 Se espera el 30/07/2026
1
$10.49
10
$7.38
100
$5.97
500
$5.30
1,000
$4.71
3,000
$4.71
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
40 A
60 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
79 nC
- 40 C
+ 150 C
219 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
$9.52
1,679 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,679 En existencias
1
$9.52
10
$6.42
100
$4.67
500
$4.43
1,000
$4.16
3,000
$4.16
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
33 A
66 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
67 nC
- 40 C
+ 150 C
189 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$9.95
944 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R070CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
944 En existencias
1
$9.95
10
$6.66
100
$5.34
500
$4.75
1,000
$4.21
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
31 A
57 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
67 nC
- 55 C
+ 150 C
156 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$7.50
642 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R090CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
642 En existencias
1
$7.50
10
$3.93
100
$3.28
500
$3.04
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
25 A
90 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$7.22
1,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,000 En existencias
1
$7.22
10
$4.72
100
$3.52
500
$2.95
1,000
Ver
1,000
$2.73
2,500
$2.56
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
125 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
92 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$12.92
577 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R045CFD7XTM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
577 En existencias
1
$12.92
10
$8.87
100
$6.64
1,000
$6.41
2,000
$6.21
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
600 V
52 A
45 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
79 nC
- 55 C
+ 150 C
270 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel