Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

Resultados: 450
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL
Hoja de datos
1,850En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 9.2 mOhms 20 V 2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET
Hoja de datos
1,361En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 71 A 6.1 mOhms 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
Hoja de datos
1,460En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 127 A 2.8 mOhms 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
Hoja de datos
1,430En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 127 A 2.8 mOhms 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 127 A 2.8 mOhms 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH
Hoja de datos
1,490En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 3.4 mOhms 20 V 2.1 V 26 nC - 55 C + 175 C 36.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 2 MOHMS LL
Hoja de datos
2,751En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 2 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 1.4 MOHMS LL
Hoja de datos
1,474En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 130
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.4 mOhms 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 2.5 MOHMS LL
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 2.8 MOHMS LL
Hoja de datos
1,480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 110 A 2.8 mOhms 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 4.5 MOHMS LL
Hoja de datos
1,171En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET
Hoja de datos
851En existencias
1,500Se espera el 18/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 110
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2.4 mOhms 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 1.65MOHM T6 SINGLE S08FL
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 60 V 92 A 4.6 mOhms 20 V 4 V 20.4 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.7 mOhms 20 V 3.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 1.15MO
Hoja de datos
1,490En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 241 A 1.15 mOhms 20 V 2.2 V 82 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
Hoja de datos
1,335En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 210
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 127 A 2.8 mOhms 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET
Hoja de datos
1,384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 920 uOhms 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.7 mOhms 20 V 3.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET
Hoja de datos
917En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 140 A 2.3 mOhms 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 102 A 3.3 mOhms 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Hoja de datos
2,920En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TCPAK-10 N-Channel 1 Channel 80 V 273 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 68 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Hoja de datos
2,797En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TCPAK57-10 N-Channel 1 Channel 40 V 273 A 1.49 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 92.2 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement Reel, Cut Tape