NVMFS4C303NET1G

onsemi
863-NVMFS4C303NET1G
NVMFS4C303NET1G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

Ciclo de vida:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
MXHTS:
8541299900
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Malasia
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
Estados Unidos
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.