Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL U8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL SO8FL DUAL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
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