Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Resultados: 272
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V INPUT 8.2V 50mA 12 to 100V 2,371En existencias
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Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 8.2V 30mA Reg Trans 1,035En existencias
2,500Se espera el 05/06/2026
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Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 8.2V 30mA Reg Trans 1,256En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1,000

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 12V 60mA 3V 0.05A 45dB 0.24mA 5,498En existencias
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Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 12V 3mA 3V 0.03A 45dB 0.24mA 3,625En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 31V-40V 555En existencias
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Mult.: 1
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 1,826En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 100A 620En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500


Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver 730En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
41,355En pedido
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Carrete: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3.7mOHm 10V 100A
5,000Se espera el 27/03/2026
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Carrete: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K
10,000Se espera el 01/06/2026
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Carrete: 10,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
29,680En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 5V 50mA 0.05A 5V 57dB 0.3mA
7,500Se espera el 24/02/2026
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Carrete: 2,500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 5V 40mA 0.04A 45dB
9,886En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
2,000Se espera el 13/07/2026
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Carrete: 2,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 9,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 2,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 12,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 3,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 15,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 3,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 4,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 17,500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K 84,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000