SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches. 

Resultados: 36
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V
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988En existencias
9,000Se espera el 10/04/2026
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Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3 A 51 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
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Comentarios de Producto
5,008En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 38 V 2 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
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8,626En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
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12,103En existencias
18,000Se espera el 20/02/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SSM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
Hoja de datos
677En existencias
39,000En pedido
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Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 3.9 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 270 pC + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID:0.4A
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4,643En existencias
18,000Se espera el 13/03/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.4A VDSS=60V
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4,549En existencias
42,000Se espera el 17/04/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A
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1,916En existencias
24,000Se espera el 18/05/2026
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Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 350 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET
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588En existencias
80,000Se espera el 16/02/2026
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Min.: 1
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Carrete: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
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139,603En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 840 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V
Hoja de datos
16,153Se espera el 02/03/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 30 V 400 mA 700 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel