Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NVMFD5C Power MOSFETs

onsemi NVMFD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications. NVMFD5C MOSFETs feature low ON Resistance to minimize conduction losses, and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These Power MOSFETs are 100% avalanche-tested and are available with a Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C672NLWFT1G
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NVMFD5C674NLWFT1G
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2 Channel

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20 V

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Enhancement

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NVMFD5C680NLET1G
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NVMFD5C446NLT1G
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NVMFD5C462NLT1G
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NVMFD5C462NLT1G

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$4.69

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C680NLWFT1G
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$3.37

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$1.17

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AEC-Q101

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NVMFD5C446NT1G
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NVMFD5C446NT1G

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863-NVMFD5C446NT1G

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SO-8FL-Dual-8

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2 Channel

40 V

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C462NLWFT1G
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NVMFD5C462NLWFT1G

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$5.17

$3.38

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$2.15

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$1.81

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SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C478NLT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C478NT1G
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SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

111 A

3.5 mOhms, 3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

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49 A

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1.2 V

12.3 nC

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+ 175 C

45 W

Enhancement

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N-Channel

2 Channel

40 V

52 A

6.2 mOhms, 6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

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9.2 mOhms, 9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

24 W

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