Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

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IPP60R099C7XKSA1
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IPW60R099C7XKSA1
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Tube

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IPW60R180C7XKSA1
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1: $5.25
219En existencias

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IPW60R180C7XKSA1

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1: $7.77
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IPA60R099C7XKSA1
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1: $6.73
396En existencias

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IPA60R099C7XKSA1

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726-IPA60R099C7XKSA1

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12 A

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CoolMOS

Tube

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IPP60R180C7XKSA1
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1: $4.15
376En existencias
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726-IPP60R180C7XKSA1

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500Se espera el 10/09/2026

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13 A

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IPW60R060C7XKSA1

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726-IPW60R060C7XKSA1

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240Se espera el 03/06/2026

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IPW60R120C7XKSA1
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1: $6.64
223En existencias

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IPW60R120C7XKSA1

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223En existencias

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$3.73

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- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $13.69
1,520Se espera el 26/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040C7XKSA1

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726-IPW60R040C7XKSA1

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1,520Se espera el 26/03/2026

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

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