Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$4.20
7,294 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
7,294 En existencias
1
$4.20
10
$2.72
100
$1.94
500
$1.61
1,000
$1.51
2,500
$1.40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
68 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$4.72
2,702 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,702 En existencias
1
$4.72
10
$3.06
100
$2.24
500
$1.85
1,000
$1.64
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
68 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
1:
$4.82
2,662 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,662 En existencias
1
$4.82
10
$3.13
100
$2.29
500
$1.89
1,000
$1.79
3,000
$1.66
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
185 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
24 nC
- 40 C
+ 150 C
77 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$8.71
918 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
918 En existencias
1
$8.71
10
$5.71
100
$4.21
500
$3.73
1,000
$3.30
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
85 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$9.82
204 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
204 En existencias
1
$9.82
10
$7.85
100
$6.36
500
$5.64
1,000
$5.01
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
16 A
115 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
34 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$8.63
385 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
385 En existencias
1
$8.63
10
$5.66
100
$4.16
500
$3.71
1,000
$3.29
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
650 V
12 A
190 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$24.12
1,534 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,534 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
109 A
17 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
240 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$15.28
2,720 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,720 En existencias
1
$15.28
10
$11.58
100
$9.65
480
$8.59
1,200
$8.03
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
50 A
34 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
107 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R060C7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$10.43
1,057 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060C7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,057 En existencias
1
$10.43
10
$7.63
100
$5.60
500
$5.33
1,000
$4.98
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
35 A
60 mOhms
- 20 V, 20 V
1.7 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
162 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R099C7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$8.68
1,941 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099C7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,941 En existencias
1
$8.68
10
$5.69
100
$4.19
500
$3.84
1,000
$3.30
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
99 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$13.51
364 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
364 En existencias
1
$13.51
10
$7.55
100
$7.49
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
50 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
107 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$9.71
589 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
589 En existencias
1
$9.71
10
$7.77
100
$6.41
500
$5.45
1,000
$4.95
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
35 A
60 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
162 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$6.01
1,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,000 En existencias
1
$6.01
10
$3.12
100
$2.83
500
$2.56
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
11 A
120 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R040C7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$14.68
1,104 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040C7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,104 En existencias
1
$14.68
10
$10.56
100
$8.00
1,000
$7.46
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
50 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
107 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R104C7AUMA1
Infineon Technologies
1:
$8.79
2,939 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R104C7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,939 En existencias
1
$8.79
10
$5.76
100
$4.24
500
$3.77
1,000
$3.60
3,000
$3.34
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
83 A
104 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
42 nC
- 40 C
+ 150 C
122 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$4.64
230 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
230 En existencias
1
$4.64
10
$3.00
100
$2.21
500
$1.85
1,000
Ver
1,000
$1.72
2,500
$1.61
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9 A
346 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$9.62
170 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
170 En existencias
1
$9.62
10
$6.31
100
$4.64
480
$4.12
1,200
$3.65
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
85 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$6.02
219 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
219 En existencias
1
$6.02
10
$3.93
100
$3.07
480
$2.57
1,200
Ver
1,200
$2.38
2,640
$2.24
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
68 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZ60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$9.40
25 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
25 En existencias
1
$9.40
10
$6.25
100
$5.06
480
$4.49
1,200
$3.98
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
99 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$6.05
583 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
583 En existencias
1
$6.05
10
$3.13
100
$2.85
500
$2.57
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
19 A
120 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
92 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$4.29
362 En existencias
500 Se espera el 16/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
362 En existencias
500 Se espera el 16/07/2026
1
$4.29
10
$2.16
100
$1.95
500
$1.63
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
155 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
68 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$10.93
205 En existencias
720 Se espera el 07/05/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
205 En existencias
720 Se espera el 07/05/2026
1
$10.93
10
$8.75
100
$7.07
480
$6.29
1,200
$5.58
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
35 A
52 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
162 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$8.07
223 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
223 En existencias
1
$8.07
10
$5.29
100
$3.89
480
$3.46
1,200
$3.07
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
19 A
120 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
92 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R065C7AUMA1
Infineon Technologies
1:
$10.63
6,665 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065C7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
6,665 En pedido
Ver fechas
En pedido:
665 Se espera el 07/05/2026
6,000 Se espera el 28/05/2026
Plazo de entrega de fábrica:
39 Semanas
1
$10.63
10
$7.22
100
$5.27
500
$4.95
3,000
$4.81
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
29 A
65 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
68 nC
- 40 C
+ 150 C
180 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZ60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$15.68
240 Se espera el 11/06/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
240 Se espera el 11/06/2026
1
$15.68
10
$12.27
100
$10.22
480
$9.10
1,200
$8.52
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
600 V
50 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
107 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolMOS
Tube