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N-Channel
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600 V
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180 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
68 W
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D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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600 V
13 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
68 W
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SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
185 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
24 nC
- 40 C
+ 150 C
77 W
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$3.90
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$3.63
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Mult.: 1
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
85 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
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Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
650 V
12 A
190 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
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Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
50 A
34 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
107 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
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$6.18
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
35 A
60 mOhms
- 20 V, 20 V
1.7 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
162 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
99 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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IPP60R040C7XKSA1
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$9.88
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$8.24
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
50 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
107 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolMOS
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$8.54
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$6.92
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
35 A
60 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
162 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
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IPA60R120C7XKSA1
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$4.84
100
$3.56
500
$3.16
1,000
$2.81
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
11 A
120 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
CoolMOS
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$8.20
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
50 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
107 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolMOS
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$6.32
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$4.13
1,000
$3.67
3,000
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Mult.: 1
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SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
83 A
104 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
42 nC
- 40 C
+ 150 C
122 W
Enhancement
CoolMOS
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100
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Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
109 A
17 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
240 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
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$5.12
10
$3.34
100
$2.43
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$2.03
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1,000
$1.89
2,500
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Mult.: 1
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9 A
346 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
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$4.52
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Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
85 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
CoolMOS
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$6.92
10
$4.52
100
$3.38
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$2.82
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TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
68 W
Enhancement
CoolMOS
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$9.70
10
$6.18
100
$5.11
480
$4.41
1,200
$4.03
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Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
99 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
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IPA60R060C7XKSA1
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10
$8.65
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$6.99
500
$6.21
1,000
$5.50
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
16 A
115 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
34 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R065C7AUMA1
Infineon Technologies
1:
$10.74
5 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065C7AUMA1
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5 En existencias
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$10.74
10
$7.57
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$6.12
500
$5.43
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$4.86
3,000
$4.86
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Mult.: 1
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3,000
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SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
29 A
65 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
68 nC
- 40 C
+ 150 C
180 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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IPP60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$7.44
583 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R120C7XKSA1
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583 En existencias
1
$7.44
10
$4.88
100
$3.59
500
$3.19
1,000
$2.83
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
19 A
120 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
92 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
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IPP60R180C7XKSA1
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1:
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360 En existencias
500 Se espera el 09/07/2026
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360 En existencias
500 Se espera el 09/07/2026
1
$5.15
10
$3.37
100
$2.44
500
$2.04
1,000
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$1.90
2,500
$1.78
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Mult.: 1
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
155 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
68 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
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IPW60R060C7XKSA1
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1:
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720 Se espera el 10/07/2026
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726-IPW60R060C7XKSA1
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6 En existencias
720 Se espera el 10/07/2026
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$13.05
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$8.91
100
$7.35
480
$6.55
1,200
$6.12
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Mult.: 1
Detalles
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TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
35 A
52 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
162 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
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+1 imagen
IPW60R120C7XKSA1
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$8.88
10
$5.81
100
$4.28
480
$3.81
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$3.38
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Mult.: 1
Detalles
Si
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TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
19 A
120 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
92 W
Enhancement
CoolMOS
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
240 Se espera el 08/07/2026
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Detalles
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
600 V
50 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
107 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolMOS
Tube