Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Panjit 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature low R_DS(ON) and high-switching speed. These MOSFETs consist of low reverse transfer capacitance and green molding compounds as per IEC 61249 standard. The 100V enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are 100% UIS / Rg tested. Typical applications include a PD charger, adapter, lighting, home appliance, and DC-DC converter.

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Resultados: 30

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4476AP-AU_R2_000A1
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AEC-Q101

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PJA3470_R1_00001
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$0.307

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3474S-AU_R1_007A1
Panjit
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PJA3474S_R1_00701
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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

PSMQC042N10LS2_R2_00201
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PSMQC042N10LS2_R2_00201

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

PSMQC078N10LS2_R2_00201
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PSMQC078N10LS2_R2_00201

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

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$2.05

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$0.87

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Panjit
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PSMQC098N10LS2_R2_00201

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Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

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$2.08

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Panjit
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N.º de artículo del Fabricante
PSMQC280N10LS2_R2_00201

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Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

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$1.59

$0.993

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

PSMQC074N10NS2_R2_00201
Panjit
1: $2.96
1,610En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC074N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC074N10NS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

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$2.96

$1.90

$1.29

$1.07

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$0.892

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

BSS123_R1_00001
Panjit
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1,438En existencias
9,000Se espera el 18/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS123_R1_00001

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241-BSS123_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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9,000Se espera el 18/02/2026

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$0.247

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Envase tipo carrete

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PJA3471_R1_00001
Panjit
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9,000Se espera el 18/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
PJA3471_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3471_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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13,695En existencias

9,000Se espera el 18/05/2026

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$0.624

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$0.242

$0.181

Envase tipo carrete

$0.135

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- 20 V, 20 V

2.5 V

8 nC

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1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R1_00001
Panjit
1: $0.377
3,216En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3476_R1_00001

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241-PJA3476_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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$0.377

$0.226

$0.142

$0.105

Envase tipo carrete

$0.077

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SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

PJC7476_R1_00001
Panjit
1: $0.494
8,167En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJC7476_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC7476_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

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8,167En existencias

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$0.494

$0.296

$0.186

$0.139

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$0.103

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SOT-323-3

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1 Channel

100 V

300 mA

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2.5 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD25N10A_L2_00001
Panjit
1: $1.27
1,726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD25N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD25N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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$1.27

$0.832

$0.562

$0.441

Envase tipo carrete

$0.346

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SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD9N10A_L2_00001
Panjit
1: $0.923
2,720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD9N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD9N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

Hoja de datos

2,720En existencias

Cinta cortada

$0.923

$0.576

$0.371

$0.282

Envase tipo carrete

$0.216

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Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N10AL-AU_L2_000A1
Panjit
1: $1.60
1,980En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJD50N10AL-AU_L2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD50N10ALAUL200

NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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$1.60

$1.08

$0.819

$0.66

Envase tipo carrete

$0.527

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N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

BSS123_R2_00001
Panjit
12,000: $0.043
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSS123_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-BSS123_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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$0.043

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

10 Ohms

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1.8 nC

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500 mW

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R2_00001
Panjit
12,000: $0.069
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3476_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3476_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

$0.069

Min.: 12,000
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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

- 55 C

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJC7476_R2_00001
Panjit
12,000: $0.109
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJC7476_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC7476_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

Envase tipo carrete

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Min.: 12,000
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SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

100 V

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

PJD10P10A_L2_00001
Panjit
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N.º de artículo de Mouser
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Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD13N10A_L2_00001
Panjit
1: $1.00
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PJD13N10A_L2_00001

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241-PJD13N10AL200001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

PJD14P10A_L2_00001
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1: $1.35
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PJD14P10A_L2_00001

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241-PJD14P10AL200001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

100 V

14 A

- 20 V, 20 V

3 V

40.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N10AL_L2_00001
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3,000: $0.446
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PJD50N10AL_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD50N10ALL20000

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$0.413

$0.389

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

28.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD6N10A_L2_00001
Panjit
1: $0.936
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD6N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD6N10AL200001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

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Cinta cortada

$0.936

$0.923

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application

PSMN015N10NS2_R2_00201
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2,000: $5.03
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PSMN015N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMN015N10NS2R22

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application

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$5.03

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

N-Channel

100 V

395 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

128 nC

Reel

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

170 mA
300 mA
900 mA
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2.3 A
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3.3 A
7 A
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13 A
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25 A
35 A
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60 A
63 A
64 A
109 A