Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Panjit 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature low R_DS(ON) and high-switching speed. These MOSFETs consist of low reverse transfer capacitance and green molding compounds as per IEC 61249 standard. The 100V enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are 100% UIS / Rg tested. Typical applications include a PD charger, adapter, lighting, home appliance, and DC-DC converter.

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Resultados: 30

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4476AP-AU_R2_000A1
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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3470_R1_00001
Panjit
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3,000Se espera el 03/06/2027

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PSMQC042N10LS2_R2_00201
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PSMQC042N10LS2_R2_00201

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PSMQC078N10LS2_R2_00201

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Panjit
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PSMQC280N10LS2_R2_00201

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241-PSMQC280N10LS2

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Panjit

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

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Panjit
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PSMQC074N10NS2_R2_00201

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241-PSMQC074N10NS2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

BSS123_R1_00001
Panjit
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BSS123_R1_00001

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PJA3474S-AU_R1_007A1
Panjit
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19En existencias
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PJA3474S-AU_R1_007A1

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241-PJA3474SAUR17A1

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$1.46

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$0.597

$0.46

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$0.382

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SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

2.5 A

118 mOhms

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R1_00001
Panjit
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PJA3476_R1_00001

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241-PJA3476_R1_00001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

PJC7476_R1_00001
Panjit
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N.º de artículo del Fabricante
PJC7476_R1_00001

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241-PJC7476_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

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$0.52

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$0.199

$0.148

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$0.109

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD9N10A_L2_00001
Panjit
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PJD9N10A_L2_00001

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241-PJD9N10AL200001

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$0.988

$0.616

$0.397

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$0.231

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD25N10A_L2_00001
Panjit
1: $1.50
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PJD25N10A_L2_00001

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241-PJD25N10AL200001

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PJA3471_R1_00001
Panjit
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PJA3471_R1_00001

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Panjit

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$0.741

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Enhancement

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BSS123_R2_00001
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BSS123_R2_00001

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SOT-23-3

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1 Channel

100 V

170 mA

10 Ohms

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R2_00001
Panjit
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PJA3476_R2_00001

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SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJC7476_R2_00001
Panjit
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PJC7476_R2_00001

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241-PJC7476_R2_00001

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100 V

300 mA

9 Ohms

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

PJD10P10A_L2_00001
Panjit
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

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PJD10P10A_L2_00001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

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Panjit
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Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

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PJD14P10A_L2_00001

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241-PJD14P10AL200001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

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SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

100 V

14 A

- 20 V, 20 V

3 V

40.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

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PJD50N10AL_L2_00001
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TO-252AA-3

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42 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

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83 W

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PJD6N10A_L2_00001
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PJD6N10A_L2_00001

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PSMN015N10NS2_R2_00201
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PSMN015N10NS2_R2_00201

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100 V

395 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

128 nC

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.8mohms TOLL for Industrail market

PSMN028N10NS2_R2_00201
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2,000: $3.06
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PSMN028N10NS2_R2_00201

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N-Channel

100 V

240 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

65 nC

Enhancement

Reel

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

170 mA
300 mA
900 mA
1.3 A
2.3 A
2.5 A
2.6 A
3.3 A
7 A
10 A
13 A
14 A
21 A
25 A
35 A
42 A
60 A
63 A
64 A
109 A