Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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1 Channel

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59.5 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R070CFD7ATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

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IPB60R360P7ATMA1
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Enhancement

CoolMOS

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IPD95R2K0P7ATMA1
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Enhancement

CoolMOS

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IPP60R360P7XKSA1
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Tube

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IPW60R045P7XKSA1
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Tube

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IPD80R750P7ATMA1
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IPD80R1K2P7ATMA1
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DPAK-3 (TO-252-3)

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800 V

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CoolMOS

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IPDD60R190G7XTMA1
Infineon Technologies
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IPDD60R190G7XTMA1

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13 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPL60R105P7AUMA1
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IPL60R105P7AUMA1

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726-IPL60R105P7AUMA1

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$5.85

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$2.07

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SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

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45 nC

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: $4.15
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IPL60R185CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185CFD7AUM

Infineon Technologies

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$4.15

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$1.61

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$1.30

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VSON-4

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1 Channel

600 V

14 A

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CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R360P7SATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPN60R360P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R360P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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$1.63

$1.02

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Envase tipo carrete

$0.363

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

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+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R2K0P7SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.01
10,467En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R2K0P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R2K0P7SATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Cinta cortada

$1.01

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$0.406

$0.309

Envase tipo carrete

$0.209

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

3 A

1.64 Ohms

- 16 V, 16 V

2.5 V

3.8 nC

- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
1: $11.71
2,682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R050G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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$11.71

$8.01

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$6.38

$5.68

Envase tipo carrete

$5.21

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

44 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R065S7XTMA1
Infineon Technologies
1: $3.98
1,095En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R065S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,095En existencias

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$3.98

$3.74

$3.29

$3.28

$3.15

Envase tipo carrete

$2.52

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

65 mOhms

- 12 V, 12 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
1: $3.37
1,722En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R285P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R285P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,722En existencias

Cinta cortada

$3.37

$1.91

$1.51

$1.21

$1.12

Envase tipo carrete

$0.987

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

218 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
1: $6.59
1,783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R102G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

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1,783En existencias

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$6.59

$4.38

$3.15

$2.99

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Envase tipo carrete

$2.43

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

141 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $8.20
3,402En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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3,402En existencias

$8.20

$4.81

$3.91

$3.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R050CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: $12.17
1,254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R050CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R050CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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1,254En existencias

$12.17

$7.18

$6.08

$5.93

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.72
4,458En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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4,458En existencias

Cinta cortada

$2.72

$1.74

$1.18

$0.936

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$0.751

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R600P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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4,980En existencias

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Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

490 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

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+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: $0.91
6,275En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R600P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

6,275En existencias

Cinta cortada

$0.91

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

490 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

43.1 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
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IPD70R900P7SAUMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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MouseReel Disponible

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

6 A

740 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

6.8 nC

- 40 C

+ 150 C

30.5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.22
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N.º de artículo del Fabricante
IPD80R900P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Cinta cortada

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

770 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
3.6 A
4 A
4.5 A
4.7 A
5.2 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A

18 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
50 mOhms
53 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
65 mOhms
66 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
73 mOhms
77 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
8.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
12.7 nC
13 nC
14 nC
15 nC
15.3 nC
16.4 nC
17 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
25 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W