Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
TK65S04N1L,LQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
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TB9061AFNG,EL
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
TK90S06N1L,LQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
1SS302A,LF
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N.º de artículo de Mouser 757-1SS302ALF
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
TK100S04N1L,LQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
DF3D36FU,LF
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK15S04N1L,LQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
TB9057FG
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
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Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q
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TC32306FTG,EL
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Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
TB9051FTG,EL
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
TK55S10N1,LQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
DF3D18FU,LF
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-DF3D18FULF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
123,388 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
SSM3J351R,LF
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J351RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
58,365 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
SSM3J356R,LF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J356RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
SSM3K2615R,LF
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K2615RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
SSM3K341R,LF
Toshiba
1:
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15,000 Se espera el 29/06/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K341RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
96,751 En existencias
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
SSM3K361R,LF
Toshiba
1:
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45,804 En existencias
30,000 Se espera el 26/06/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K361RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
45,804 En existencias
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
SSM3J377R,LF
Toshiba
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9,000 Se espera el 26/06/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J377RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
1,177 En existencias
9,000 Se espera el 26/06/2026
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A
SSM3J378R,LF
Toshiba
1:
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5,469 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J378RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A
5,469 En existencias
1
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
SSM3K361TU,LF
Toshiba
1:
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4,841 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K361TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
4,841 En existencias
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
SSM3K62TU,LF
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K62TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
5,792 En existencias
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q
1SS403,H3F
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-1SS403H3F
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q
15,033 En existencias
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Suppressors / TVS Diodes SNG Bi-directional. Automotive; AEC-Q101 option available
DF2B18FU,H3F
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-DF2B18FUH3F
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Suppressors / TVS Diodes SNG Bi-directional. Automotive; AEC-Q101 option available
20,206 En existencias
1
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
