Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
DF3D18FU,LF
Toshiba
1:
$0.494
162,435 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-DF3D18FULF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
162,435 En existencias
1
$0.494
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$0.33
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
1SS302A,LF
Toshiba
1:
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757-1SS302ALF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
674,700 En existencias
1
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
DF3D36FU,LF
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser
757-DF3D36FULF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
24,201 En existencias
1
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$0.146
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
TK55S10N1,LQ
Toshiba
1:
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1,560 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK55S10N1LQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
1,560 En existencias
1
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
+3 imágenes
TB9061AFNG,EL
Toshiba
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757-TB9061AFNG,EL
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
452 En existencias
1
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$5.68
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
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757-TJ40S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
4,317 En existencias
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Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
TK100S04N1L,LQ
Toshiba
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757-TK100S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
3,703 En existencias
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
TB9057FG
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser
757-TB9057FG
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
1,735 En existencias
1
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1,000
$7.29
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Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q
+1 imagen
TC32306FTG,EL
Toshiba
1:
$4.86
1,988 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TC32306FTG,EL
Toshiba
Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q
1,988 En existencias
1
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$2.52
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
1,308 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK15S04N1L,LQ
Toshiba
1:
$2.05
1,682 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK15S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,682 En existencias
1
$2.05
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$0.767
24,000
Presupuesto
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
2SD1223(TE16L1,NQ)
Toshiba
1:
$1.86
Plazo de entrega 21 Semanas
N.º de artículo de Mouser
757-2SD1223TE16L1NQ
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
Plazo de entrega 21 Semanas
1
$1.86
10
$1.18
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$0.781
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$0.556
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10,000
$0.43
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
SSM3J351R,LF
Toshiba
1:
$0.715
81,416 En existencias
51,000 Se espera el 02/03/2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J351RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
81,416 En existencias
51,000 Se espera el 02/03/2026
1
$0.715
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Ver
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$0.189
6,000
$0.134
9,000
$0.122
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Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
SSM3J356R,LF
Toshiba
1:
$0.546
67,064 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J356RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
67,064 En existencias
1
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24,000
$0.085
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Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
SSM3K2615R,LF
Toshiba
1:
$0.832
47,737 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K2615RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
47,737 En existencias
1
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Ver
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$0.166
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$0.163
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
SSM3K318R,LF
Toshiba
1:
$0.676
21,128 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K318RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
21,128 En existencias
1
$0.676
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1,000
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9,000
$0.113
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
SSM3K341R,LF
Toshiba
1:
$0.91
40,855 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
40,855 En existencias
1
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1,000
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$0.161
24,000
$0.157
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
SSM3K361R,LF
Toshiba
1:
$0.988
53,614 En existencias
6,000 Se espera el 13/02/2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K361RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
53,614 En existencias
6,000 Se espera el 13/02/2026
1
$0.988
10
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$0.213
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Ver
1,000
$0.272
6,000
$0.207
9,000
$0.181
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
SSM3K376R,LF
Toshiba
1:
$0.468
23,770 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K376RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
23,770 En existencias
1
$0.468
10
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500
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3,000
$0.095
6,000
Ver
1,000
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$0.083
9,000
$0.069
24,000
$0.068
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
TB9051FTG,EL
Toshiba
1:
$10.27
1,250 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TB9051FTG
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
1,250 En existencias
1
$10.27
10
$7.96
25
$7.37
100
$6.73
250
Ver
3,000
$5.90
250
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500
$6.25
1,000
$6.10
3,000
$5.90
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
$2.95
5,662 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ30S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
5,662 En existencias
1
$2.95
10
$1.90
100
$1.29
500
$1.03
2,000
$0.849
4,000
Ver
1,000
$0.969
4,000
$0.845
10,000
$0.814
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
SSM3K341TU,LF
Toshiba
1:
$0.819
7,347 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
7,347 En existencias
1
$0.819
10
$0.53
100
$0.354
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$0.27
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$0.179
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Ver
1,000
$0.243
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$0.174
9,000
$0.159
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
SSM3K361TU,LF
Toshiba
1:
$0.923
829 En existencias
6,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K361TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
829 En existencias
6,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
829 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,000 Se espera el 16/02/2026
3,000 Se espera el 02/03/2026
Plazo de entrega de fábrica:
12 Semanas
1
$0.923
10
$0.571
100
$0.372
500
$0.283
3,000
$0.207
6,000
Ver
1,000
$0.25
6,000
$0.192
9,000
$0.168
24,000
$0.164
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
SSM3K62TU,LF
Toshiba
1:
$0.689
80 En existencias
9,000 Se espera el 13/02/2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K62TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
80 En existencias
9,000 Se espera el 13/02/2026
1
$0.689
10
$0.429
100
$0.26
500
$0.205
3,000
$0.127
6,000
Ver
1,000
$0.185
6,000
$0.12
9,000
$0.113
24,000
$0.108
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current
1SS307E,L3F
Toshiba
1:
$0.195
30,729 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-1SS307EL3F
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current
30,729 En existencias
1
$0.195
10
$0.108
100
$0.082
500
$0.06
8,000
$0.025
24,000
Ver
1,000
$0.047
5,000
$0.026
24,000
$0.023
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles