600V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 600V Single N-channel power MOSFETs incorporate super-junction technology and operate within the -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and halogen-free. Typical applications include lighting, industrial, and switching applications.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 30A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), TOLL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 4,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 110 mOhms 20 V 6 V 55 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 21A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 6,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PDFN-4 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 160 mOhms 30 V 6 V 42 nC - 55 C + 150 C 173 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 20A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), PDFN88
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 6,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PDFN88-4 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 180 mOhms 30 V 6 V 36 nC - 55 C + 150 C 169 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 16A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), PDFN88
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 6,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PDFN88-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 285 mOhms 30 V 6 V 24 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement Reel