Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
TSM60NC1R5CH C5G
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$2.39
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821-TSM60NC1R5CHC5G
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3,658 En existencias
1
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$1.52
100
$1.02
500
$0.801
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$0.732
3,750
$0.634
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Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
600 V
3 A
1.5 Ohms
- 20 V, 20 V
4.3 V
7.6 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
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TSM60NC1R5CP ROG
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5,000 En existencias
1
$2.39
10
$1.52
100
$1.02
500
$0.801
2,500
$0.657
5,000
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1,000
$0.732
5,000
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Mult.: 1
Carrete :
2,500
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
3 A
1.5 Ohms
- 20 V, 20 V
5.5 V
8.1 nC
- 55 C
+ 150 C
55 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET
TSM60NC390CI C0G
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1:
$4.76
3,890 En existencias
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821-TSM60NC390CIC0G
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3,890 En existencias
1
$4.76
10
$3.11
100
$2.17
500
$1.77
4,000
$1.64
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
ITO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
11 A
390 mOhms
- 20 V, 20 V
5 V
21.3 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET
TSM60NC390CP ROG
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1:
$4.41
4,775 En existencias
N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC390CPROG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET
4,775 En existencias
1
$4.41
10
$2.87
100
$1.99
500
$1.63
2,500
$1.59
5,000
Ver
1,000
$1.59
5,000
$1.47
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
11 A
390 mOhms
- 20 V, 20 V
5 V
21 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET
TSM60NC620CI C0G
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1:
$3.78
3,848 En existencias
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821-TSM60NC620CIC0G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET
3,848 En existencias
1
$3.78
10
$2.44
100
$1.69
500
$1.37
1,000
Ver
1,000
$1.25
2,000
$1.20
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Mult.: 1
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Si
Through Hole
ITO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
4 A
980 mOhms
- 20 V, 20 V
5 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 42A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
TSM60NE084PW C0G
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1:
$14.05
290 En existencias
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821-TSM60NE084PWC2G
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290 En existencias
1
$14.05
10
$9.69
100
$6.98
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Mult.: 1
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Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
42 A
84 mOhms
- 30 V, 30 V
6 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
357 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
TSM60NE145CIT C0G
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1:
$8.00
1,979 En existencias
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821-TSM60NE145CITC0G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
1,979 En existencias
1
$8.00
10
$5.36
100
$3.85
500
$3.30
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Mult.: 1
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Si
Through Hole
ITO-220TL-3
N-Channel
1 Channel
600 V
14.5 A
145 mOhms
- 30 V, 30 V
6 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 13A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
TSM60NE180CIT C0G
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1:
$7.40
1,988 En existencias
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821-TSM60NE180CITC0G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 13A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
1,988 En existencias
1
$7.40
10
$4.64
100
$3.48
500
$2.96
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Mult.: 1
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Si
Through Hole
ITO-220TL-3
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
180 mOhms
- 30 V, 30 V
6 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 9.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
TSM60NE285CIT C0G
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$5.68
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821-TSM60NE285CITC0G
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1,982 En existencias
1
$5.68
10
$3.74
100
$2.64
500
$2.17
1,000
$2.08
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si
Through Hole
ITO-220TL-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9.5 A
285 mOhms
- 30 V, 30 V
6 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
56 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 61A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
TSM60NE048PW C0G
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1:
$20.19
298 En existencias
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821-TSM60NE048PWC2G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 61A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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1
$20.19
10
$14.20
100
$11.18
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Mult.: 1
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Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
61 A
48 mOhms
- 30 V, 30 V
6 V
114 nC
- 55 C
+ 150 C
431 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 51A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
TSM60NE069PW C0G
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1:
$15.94
300 En existencias
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821-TSM60NE069PWC2G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 51A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
300 En existencias
1
$15.94
10
$11.06
100
$8.23
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Mult.: 1
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Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
51 A
69 mOhms
- 30 V, 30 V
6 V
86 nC
- 55 C
+ 150 C
417 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
TSM60NE200CIT C0G
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1:
$6.72
1,984 En existencias
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821-TSM60NE200CITC0G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
1,984 En existencias
1
$6.72
10
$4.46
100
$3.17
500
$2.63
1,000
$2.61
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
ITO-220TL-3
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
200 mOhms
- 30 V, 30 V
6 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET
TSM60NC620CH C5G
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1:
$3.33
2,747 En existencias
N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC620CHC5G
Taiwan Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET
2,747 En existencias
1
$3.33
10
$2.15
100
$1.47
500
$1.17
1,000
Ver
1,000
$1.07
2,500
$1.00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
600 V
7 A
620 mOhms
- 20 V, 20 V
5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET
TSM60NC620CP ROG
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1:
$3.33
7,500 En existencias
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821-TSM60NC620CPROG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET
7,500 En existencias
1
$3.33
10
$2.15
100
$1.47
500
$1.17
1,000
$1.07
2,500
$1.00
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
7 A
620 mOhms
- 20 V, 20 V
5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET
TSM60NC980CH C5G
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1:
$2.69
3,747 En existencias
N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC980CHC5G
Taiwan Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET
3,747 En existencias
1
$2.69
10
$1.72
100
$1.16
500
$0.917
1,000
Ver
1,000
$0.84
2,500
$0.749
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
600 V
4 A
980 mOhms
- 20 V, 20 V
5 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET
TSM60NC980CP ROG
Taiwan Semiconductor
1:
$2.69
4,477 En existencias
N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC980CPROG
Taiwan Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET
4,477 En existencias
1
$2.69
10
$1.72
100
$1.16
500
$0.917
2,500
$0.755
5,000
Ver
1,000
$0.84
5,000
$0.749
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
4 A
980 mOhms
- 20 V, 20 V
5 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
TSM60NC165CF C0G
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4,000:
$2.55
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821-TSM60NC165CFC0G
Nuevo producto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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Min.: 4,000
Mult.: 2,000
Carrete :
2,000
Detalles
Si
Through Hole
ITO-220S-3
N-Channel
1 Channel
600 V
14 A
165 mOhms
20 V, 30 V
5 V
48 nC
- 55 C
+ 150 C
81 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
TSM60NC165CIT C0G
Taiwan Semiconductor
4,000:
$2.54
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N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NC165CITC0G
Nuevo producto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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Min.: 4,000
Mult.: 2,000
Carrete :
2,000
Detalles
Si
Through Hole
ITO-220S-3
N-Channel
1 Channel
600 V
14 A
165 mOhms
20 V, 30 V
5 V
48 nC
- 55 C
+ 150 C
81 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
TSM60NC196CF C0G
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4,000:
$2.28
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821-TSM60NC196CFC0G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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Min.: 4,000
Mult.: 2,000
Carrete :
2,000
Detalles
Si
Through Hole
ITO-220S-3
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
165 mOhms
20 V, 30 V
5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
74 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
TSM60NC196CIT C0G
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$1.70
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821-TSM60NC196CITC0G
Nuevo producto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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Min.: 4,000
Mult.: 2,000
Carrete :
2,000
Detalles
Si
Through Hole
ITO-220TL-3
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
196 mOhms
20 V, 30 V
5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
74 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 21A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
TSM60NE084CIT C0G
Taiwan Semiconductor
4,000:
$6.36
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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821-TSM60NE084CITC0G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 21A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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Mult.: 2,000
Detalles
Si
Through Hole
ITO-220TL-3
N-Channel
1 Channel
600 V
21 A
84 mOhms
- 30 V, 30 V
6 V
69 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 24A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
TSM60NE069CIT C0G
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821-TSM60NE069CITC0G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 24A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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Min.: 4,000
Mult.: 2,000
Detalles
Si
Through Hole
ITO-220TL-3
N-Channel
1 Channel
600 V
24 A
69 mOhms
- 30 V, 30 V
6 V
89 nC
- 55 C
+ 150 C
89 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 47A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), TOLL
TSM60NE084TL RAG
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N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NE084TLRAG
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Taiwan Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 47A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), TOLL
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2,000
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Si
SMD/SMT
TOLL-8
N-Channel
1 Channel
600 V
47 A
84 mOhms
20 V
6 V
69 nC
- 55 C
+ 150 C
431 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 27A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), PDFN88
TSM60NE110CE RVG
Taiwan Semiconductor
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$3.93
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N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NE110CERVG
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Taiwan Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 27A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), PDFN88
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Mult.: 3,000
Carrete :
3,000
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Si
SMD/SMT
PDFN88-4
N-Channel
1 Channel
600 V
27 A
110 mOhms
30 V
6 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
178 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 17A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
TSM60NE110CIT C0G
Taiwan Semiconductor
4,000:
$4.91
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N.º de artículo de Mouser
821-TSM60NE110CITC0G
Taiwan Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 17A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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Si
Through Hole
ITO-220TL-3
N-Channel
1 Channel
600 V
17 A
110 mOhms
- 30 V, 30 V
6 V
55 nC
- 55 C
+ 150 C
73 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube