Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Transistores de potencia CoolMOS P7 600 V

Los transistores de potencia CoolMOS P7 de 600 V de Infineon son la 7ª generación de dispositivos que utilizan una revolucionaria tecnología para MOSFET de potencia de alta tensión. Los transistores están diseñados según el principio de máxima unión (SJ) y concebidos por Infineon Technologies. Los transistores CoolMOS P7 de 600 V combinan los beneficios de un MOSFET SJ de conmuntación rápida con excelente facilidad de uso. Los transistores P7 de 600 V ofrecen tendencia de repique muy baja, magnífica resistencia del diodo del cuerpo a la conmutación dura y una excelente capacidad ESD. Las pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas y atractivas.
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.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Paquete / Cubierta

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $13.95 12,646En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R037P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R037P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	12,646En existencias	$13.95 $7.58 $7.01 $6.96	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 4,000	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	76 A	30 mOhms	20 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 150 C	255 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies 1: $10.49 3,413En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R065P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R065P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3,413En existencias	Cinta cortada $10.49 $5.69 $5.23 $5.08 $4.80 Envase tipo carrete $4.80 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	41 A	53 mOhms	20 V	3 V	67 nC	- 40 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R080P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $9.18 3,408En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R080P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R080P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3,408En existencias	$9.18 $4.78 $4.38 $3.99	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	129 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R099P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.94 1,132En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R099P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R099P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,132En existencias	Cinta cortada $6.94 $3.67 $3.24 $2.91 Envase tipo carrete $2.57 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	77 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	117 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R185P7AUMA1 Infineon Technologies 1: $4.28 3,631En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R185P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R185P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3,631En existencias	Cinta cortada $4.28 $2.13 $1.92 $1.56 $1.53 Envase tipo carrete $1.42 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	19 A	149 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 40 C	+ 150 C	81 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPZA60R045P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $12.78 195En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPZA60R045P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPZA60R045P7XKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	195En existencias	$12.78 $6.89 $6.36 $6.20	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	61 A	45 mOhms	20 V	3.5 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R045P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $10.88 4,688En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R045P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R045P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,688En existencias	Cinta cortada $10.88 $7.28 $4.99 $4.93 Envase tipo carrete $4.84 Ver $4.73 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	120 V	61 A	45 mOhms	20 V	1.7 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R080P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $7.54 23,822En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP60R080P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R080P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	23,822En existencias	$7.54 $3.95 $3.60 $3.07	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	129 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R180P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $5.40 32,195En existencias 43,200Se espera el 28/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IPW60R180P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R180P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	32,195En existencias 43,200Se espera el 28/01/2027	$5.40 $2.67 $2.43 $2.02 $2.00	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	145 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R080P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.93 782En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R080P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R080P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	782En existencias	Cinta cortada $7.93 $4.16 $3.80 $3.41 Envase tipo carrete $3.04 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	129 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R180P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.34 7,515En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R180P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R180P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7,515En existencias	Cinta cortada $4.34 $2.17 $1.96 $1.59 Envase tipo carrete $1.46 $1.44	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	145 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.61 4,443En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R280P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R280P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,443En existencias	Cinta cortada $3.61 $1.78 $1.60 $1.29 Envase tipo carrete $1.18 $1.13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	214 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	53 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R280P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $2.50 4,672En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R280P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R280P7SAUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,672En existencias	Cinta cortada $2.50 $1.19 $1.04 $0.823 Envase tipo carrete $0.645 Ver $0.777 $0.627 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	214 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 40 C	+ 150 C	53 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R024P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $18.56 1,004En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R024P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R024P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,004En existencias	$18.56 $10.40 $10.01	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	101 A	24 mOhms	20 V	3.5 V	164 nC	- 55 C	+ 150 C	291 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R045P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $12.44 1,028En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R045P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R045P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,028En existencias	$12.44 $7.85 $6.03 $5.82	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	61 A	45 mOhms	20 V	3.5 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R060P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $8.68 3,698En existencias 2,000Se espera el 28/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IPA60R060P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R060P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3,698En existencias 2,000Se espera el 28/01/2027	$8.68 $4.62 $4.21 $3.71	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	48 A	49 mOhms	20 V	3 V	67 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $7.54 1,716En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R080P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R080P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,716En existencias	$7.54 $3.95 $3.60 $3.07	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $6.68 794En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R099P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R099P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	794En existencias	$6.68 $3.47 $3.16 $2.60	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	77 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $5.76 1,662En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R120P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R120P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,662En existencias	$5.76 $2.95 $2.68 $2.18	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	26 A	100 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R180P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $4.32 1,613En existencias 1,500Se espera el 28/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IPA60R180P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R180P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,613En existencias 1,500Se espera el 28/01/2027	$4.32 $2.16 $1.95 $1.64 Ver $1.61 $1.57 $1.48	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	145 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $2.86 8,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R280P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R280P7SXKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	8,000En existencias	$2.86 $1.39 $1.24 $0.982 Ver $0.94 $0.853 $0.82	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	214 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 40 C	+ 150 C	24 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.54 587En existencias 2,000Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPB60R060P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R060P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	587En existencias 2,000Se espera el 10/12/2026	Cinta cortada $8.54 $4.84 $4.39 $4.03 Envase tipo carrete $3.67 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	48 A	49 mOhms	20 V	3 V	67 nC	- 55 C	+ 150 C	164 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R120P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.76 4,974En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R120P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R120P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,974En existencias	Cinta cortada $5.76 $2.95 $2.67 $2.26 Envase tipo carrete $2.13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	26 A	100 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	95 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.67 13,124En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R180P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R180P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	13,124En existencias	Cinta cortada $3.67 $1.86 $1.68 $1.35 Envase tipo carrete $1.19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	180 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $2.86 2,414En existencias 30,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPD60R180P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R180P7SAUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2,414En existencias 30,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPD60R180P7SAUMA1 Existencias: 2,414 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 10,000 Se espera el 04/03/2027 7,500 Se espera el 15/04/2027 12,500 Se espera el 25/10/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.86 $1.56 $1.24 $0.988 $0.985 Envase tipo carrete $0.824 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,500 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	180 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 40 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel