Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6016LSD-13
Diodes Incorporated
1: $1.85
52,537En existencias

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DMTH6016LSD-13

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621-DMTH6016LSD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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$1.85

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$0.442

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

7.6 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

1.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

DMT6004LPS-13
Diodes Incorporated
1: $2.78
54,364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6004LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6004LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

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Cinta cortada

$2.78

$1.79

$1.21

$0.963

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$0.774

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SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

96.3 nC

- 55 C

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2.1 W

Enhancement

PowerDI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6015LFV-7
Diodes Incorporated
1: $1.12
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N.º de artículo del Fabricante
DMT6015LFV-7

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621-DMT6015LFV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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$1.12

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$0.468

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60 V

35 A

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- 16 V, 16 V

2.5 V

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30 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 3.4mOhm 10Vgs 100A

DMTH6004SCTBQ-13
Diodes Incorporated
1: $4.00
1,271En existencias

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DMTH6004SCTBQ-13

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621-DMTH6004SCTBQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 3.4mOhm 10Vgs 100A

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$4.00

$2.93

$2.15

$2.12

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$1.68

$1.61

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

163 A

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- 20 V, 20 V

2 V

95.4 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A

DMTH6005LPSQ-13
Diodes Incorporated
1: $2.24
2,679En existencias

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DMTH6005LPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6005LPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A

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$1.73

$1.23

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60 V

100 A

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6010LPD-13
Diodes Incorporated
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DMTH6010LPD-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6010LPD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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60 V

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37.5 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMT10H015LK3-13
Diodes Incorporated
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N.º de artículo del Fabricante
DMT10H015LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H015LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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$1.44

$1.18

$0.824

$0.694

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$0.546

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1 Channel

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+ 150 C

2.9 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A

DMTH6010LPSQ-13
Diodes Incorporated
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DMTH6010LPSQ-13

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621-DMTH6010LPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A

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$2.11

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$1.12

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1 Channel

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13.5 A

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 80A

DMT6010LPS-13
Diodes Incorporated
1: $1.34
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N.º de artículo del Fabricante
DMT6010LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6010LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 80A

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$1.34

$1.10

$0.788

$0.664

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

13.5 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

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41.3 nC

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+ 150 C

113 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

DMT10H010LSS-13
Diodes Incorporated
1: $2.15
3,862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H010LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H010LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

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$2.15

$1.61

$1.13

$0.90

Envase tipo carrete

$0.718

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

29.5 A

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- 20 V, 20 V

1.4 V

53.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4011LFG-7
Diodes Incorporated
1: $1.07
9,551En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT4011LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT4011LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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9,551En existencias

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$1.07

$0.659

$0.426

$0.326

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$0.23

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Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

40 V

30 A

11.5 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

15.1 nC

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+ 150 C

15.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K

DMT6012LSS-13
Diodes Incorporated
1: $0.689
58,416En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6012LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6012LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K

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58,416En existencias

Cinta cortada

$0.689

$0.507

$0.369

$0.282

Envase tipo carrete

$0.17

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

10.4 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

700 mV

22.2 nC

- 55 C

+ 150 C

13.4 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A

DMTH4007LK3-13
Diodes Incorporated
1: $1.37
7,255En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4007LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4007LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A

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7,255En existencias

Cinta cortada

$1.37

$1.04

$0.723

$0.588

Envase tipo carrete

$0.471

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

29.1 nC

- 55 C

+ 175 C

2.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60

DMTH6010SK3-13
Diodes Incorporated
1: $1.85
3,154En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6010SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6010SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60

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3,154En existencias

Cinta cortada

$1.85

$1.26

$0.939

$0.741

Envase tipo carrete

$0.589

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

16.3 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

38.1 nC

- 55 C

+ 175 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH8003SPS-13
Diodes Incorporated
1: $3.42
2,024En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH8003SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH8003SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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2,024En existencias

Cinta cortada

$3.42

$2.21

$1.52

$1.22

$1.13

Envase tipo carrete

$0.996

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

124.3 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A

DMTH8012LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: $2.24
8,788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH8012LK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH8012LK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A

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8,788En existencias

Cinta cortada

$2.24

$1.43

$0.952

$0.75

Envase tipo carrete

$0.597

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

50 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

46.8 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 61V-100V

DMT10H010LK3-13
Diodes Incorporated
1: $1.11
25,877En existencias
5,000Se espera el 18/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H010LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H010LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 61V-100V

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25,877En existencias

5,000Se espera el 18/03/2026

Cinta cortada

$1.11

$0.858

$0.787

$0.774

Envase tipo carrete

$0.62

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

68.8 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

53.7 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT3006LFDF-7
Diodes Incorporated
1: $0.962
35,089En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3006LFDF-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LFDF-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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35,089En existencias

Cinta cortada

$0.962

$0.595

$0.412

$0.315

Envase tipo carrete

$0.22

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

30 V

14.1 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A

DMT6010LSS-13
Diodes Incorporated
1: $1.70
8,940En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6010LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6010LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A

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8,940En existencias

Cinta cortada

$1.70

$1.28

$0.928

$0.781

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$0.666

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

14 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

800 mV

41.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 31V 40V

DMTH4011SPD-13
Diodes Incorporated
1: $1.57
5,071En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4011SPD-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4011SPD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 31V 40V

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5,071En existencias

Cinta cortada

$1.57

$0.989

$0.651

$0.507

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$0.377

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

2 Channel

40 V

42 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10.6 nC

- 55 C

+ 175 C

37.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4004LPS-13
Diodes Incorporated
1: $2.20
3,404En existencias

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

26 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

82.2 nC

- 55 C

+ 150 C

138 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H010SPS-13
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SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

123 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56.4 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W

DMTH6009LK3Q-13
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DMTH6009LK3Q-13

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621-DMTH6009LK3Q-13

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

59 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

33.5 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6009LPS-13
Diodes Incorporated
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DMTH6009LPS-13

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621-DMTH6009LPS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

11.76 A

10 mOhms

- 16 V, 16 V

700 mV

33.5 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6005LCT
Diodes Incorporated
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DMTH6005LCT

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621-DMTH6005LCT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Through Hole

TO-220-3

Tube

DMTx MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

4 A
5 A
7.3 A
7.4 A
7.6 A
7.7 A
8.3 A
8.4 A
8.8 A
8.9 A
9.2 A
9.4 A
9.5 A
9.7 A
10 A
10.4 A
10.6 A
10.8 A
11.6 A
11.76 A

1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.6 mOhms
3.65 mOhms
3.7 mOhms

5.1 nC
7 nC
8.4 nC
10.2 nC
10.6 nC
12 nC
13.6 nC
13.9 nC
14 nC
14.2 nC
15 nC
15.1 nC
15.3 nC
16.7 nC
17 nC
18.9 nC
20 nC
21 nC
21.4 nC
22.2 nC

800 mW
1.2 W
1.3 W
1.5 W
1.6 W
1.67 W
1.8 W
1.9 W
1.98 W
2 W
2.1 W
2.2 W
2.3 W
2.35 W
2.38 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W