Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
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3,431En existencias
3,000Se espera el 26/02/2026
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Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 30 V 5.5 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 23.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
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682En existencias
7,000En pedido
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Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 1.8 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 14 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
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3,961En existencias
5,900Se espera el 26/02/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 1.17 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3
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2,397En existencias
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Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 400 V 170 mA 14.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.9 V 4.54 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH
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2,641En existencias
4,000Se espera el 28/05/2026
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Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.8 A 172 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3
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1,139En existencias
2,000Se espera el 26/03/2026
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Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.8 A 177 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
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5,833En existencias
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Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 240 V 350 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIPMOS Sm-Signal 240V 6Ohm 350mA
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2,891En existencias
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Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 240 V 350 mA 4.2 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
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25,724En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 190 mA 2.406 Ohms - 20 V, 20 V 1.3 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
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3,254En existencias
9,000Se espera el 02/04/2026
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 mA 500 Ohms - 20 V, 20 V 2.7 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Depletion Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
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179,770En existencias
251,950En pedido
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3
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8,170En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 40 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -630mA SOT-323-3
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12,122En existencias
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Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 630 mA 550 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 1 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
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10,363En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 140 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 800 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
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32,247En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.3 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-363-6
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5,940En existencias
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Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 131 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 560 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 200mA SOT-23-3
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25,906En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 200 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 1.8 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
Hoja de datos
11,189En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 300 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2
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2,014En existencias
132,000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 2 Channel 20 V 390 mA 1.2 Ohms - 12 V, 12 V 600 mV 500 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
Hoja de datos
23,960En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 43 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 13.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
Hoja de datos
5,505En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 2 Channel 30 V 2 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 4.5A TSOP-6
Hoja de datos
11,558En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.5 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 3.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -260mA SOT-223-4
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1,252En existencias
2,000Se espera el 10/12/2026
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Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 250 V 260 mA 7.5 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
Hoja de datos
998En existencias
81,000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SC-59-3 P-Channel 1 Channel 100 V 360 mA 1.8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
Hoja de datos
8,680En existencias
9,000Se espera el 21/05/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SC-59-3 P-Channel 1 Channel 250 V 140 mA 11 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel