Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Resultados: 70
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 11,377En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4.7 A 94 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 12.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 144,143En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 530 mA, 950 mA 266 mOhms, 745 mOhms - 12 V, 12 V 700 mV, 1.2 V 340 pC, 400 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 13,831En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.5 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 128,163En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 950 mA 266 mOhms, 415 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 320 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH 27,426En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 1 Channel 30 V 1.4 A 192 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3 31,396En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.2 A 329 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 4.5 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3 8,791En existencias
9,000Se espera el 07/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 1.17 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3 38,727En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 100 V 680 mA 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -430mA SOT-223-3 13,899En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 250 V 430 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 11.6 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 1A SOT-223-3 7,022En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 100 V 1 A 808 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 12.4 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3 25,641En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 105 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 150mA SOT-323-3 100,409En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 150 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 70,143En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 2 A, 2.3 A 44 mOhms, 62 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V, 1.5 V 650 pC, 1.2 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 94,771En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 1.4 A, 1.5 A 113 mOhms, 119 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V, 1.5 V 600 pC, 2.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 15,262En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 600 V 120 mA 25 Ohms - 20 V, 20 V 1.9 V 4.4 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3 9,432En existencias
6,000Se espera el 07/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 1.9 A 239 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3 3,951En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 2.9 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 22 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 19,546En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SC-59-3 P-Channel 1 Channel 60 V 620 mA 620 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 25,788En existencias
57,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SC-59-3 P-Channel 1 Channel 100 V 360 mA 1.8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 133,635En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 190 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3 55,965En existencias
84,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 107 mOhms - 8 V, 8 V 550 mV 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH 2,525En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 20 V 7.5 A 26 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 5.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 4,408En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 30 V 5.5 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 23.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3 5,028En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 1.9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 13 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 54En existencias
121,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 200 V 660 mA 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 12.9 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel