Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3

BSP316PH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSP316PH6327XTSA1

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726-BSP316PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3

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SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

100 V

680 mA

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

5.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

BSD235CH6327XT
Infineon Technologies
1: $0.871
144,081En existencias

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BSD235CH6327XT

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726-BSD235CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

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$0.871

$0.601

$0.381

$0.235

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

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266 mOhms, 745 mOhms

- 12 V, 12 V

700 mV, 1.2 V

340 pC, 400 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $1.25
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BSL211SPH6327XTSA1

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726-BSL211SPH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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$1.25

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TSOP-6

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1 Channel

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- 12 V, 12 V

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12.4 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL308CH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $1.25
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BSL308CH6327XTSA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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$1.25

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$0.277

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

2 A, 2.3 A

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- 20 V, 20 V

1.6 V, 1.5 V

650 pC, 1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL316CH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSL316CH6327XTSA1

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726-BSL316CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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$0.384

$0.291

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$0.209

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

1.4 A, 1.5 A

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- 20 V, 20 V

1.6 V, 1.5 V

600 pC, 2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

BSD235NH6327XT
Infineon Technologies
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BSD235NH6327XT

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726-BSD235NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

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$0.355

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SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

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950 mV

320 pC

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500 mW

Enhancement

AEC-Q100

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BSS314PEH6327XT
Infineon Technologies
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BSS314PEH6327XT

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AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3

BSP170PH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSP170PH6327XTSA1

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P-Channel

1 Channel

60 V

1.9 A

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- 20 V, 20 V

2.1 V

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3

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Infineon Technologies
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BSP296NH6327XTSA1

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726-BSP296NH6327XTSA

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- 20 V, 20 V

1.4 V

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1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3

BSP315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSP315PH6327XTSA1

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$1.57

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SOT-223-4

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- 20 V, 20 V

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BSP317PH6327XTSA1
Infineon Technologies
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5,150En existencias
4,000Se espera el 30/07/2026

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BSP317PH6327XTSA1

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726-BSP317PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -430mA SOT-223-3

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4,000Se espera el 30/07/2026

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$1.96

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SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

250 V

430 mA

3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

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- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 1A SOT-223-3

BSP322PH6327XTSA1
Infineon Technologies
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6,818En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP322PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP322PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 1A SOT-223-3

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6,818En existencias

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$1.85

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$0.753

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$0.504

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SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

100 V

1 A

808 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

12.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3

BSP613PH6327XTSA1
Infineon Technologies
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8,667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP613PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP613PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3

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8,667En existencias

Cinta cortada

$2.98

$1.86

$1.23

$0.976

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$0.867

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SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

2.9 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

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1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

BSS215PH6327XT
Infineon Technologies
1: $0.819
25,499En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS215PH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS215PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

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25,499En existencias

Cinta cortada

$0.819

$0.566

$0.359

$0.225

Envase tipo carrete

$0.169

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Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

105 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

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500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

BSP125H6433XTMA1
Infineon Technologies
1: $1.82
10,957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP125H6433XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP125H6433XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

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10,957En existencias

Cinta cortada

$1.82

$1.12

$0.741

$0.582

Envase tipo carrete

$0.40

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Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

600 V

120 mA

25 Ohms

- 20 V, 20 V

1.9 V

4.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH

BSP372NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $1.82
6,746En existencias
10,000Se espera el 05/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSP372NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP372NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH

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6,746En existencias

10,000Se espera el 05/08/2026

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$1.82

$1.13

$0.744

$0.585

Envase tipo carrete

$0.499

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: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

100 V

1.8 A

172 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSR315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $1.37
12,895En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSR315PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSR315PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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$1.37

$0.978

$0.608

$0.419

Envase tipo carrete

$0.316

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: 3,000

SMD/SMT

SC-59-3

P-Channel

1 Channel

60 V

620 mA

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- 20 V, 20 V

2 V

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500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS123NH6327XTSA1
Infineon Technologies
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44,598En existencias
225,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS123NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS123NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

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44,598En existencias

225,000En pedido

Cinta cortada

$0.559

$0.387

$0.244

$0.153

Envase tipo carrete

$0.118

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3

BSS816NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSS816NWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SP000917562

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3

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130,570En existencias

Cinta cortada

$0.559

$0.394

$0.25

$0.156

Envase tipo carrete

$0.12

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Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

107 mOhms

- 8 V, 8 V

550 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH

BSL202SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
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689En existencias
3,000Se espera el 09/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSL202SNH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL202SNH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

20 V

7.5 A

26 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL307SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSL307SPH6327XTSA1

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726-BSL307SPH6327XTS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

5.5 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

23.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3

BSP171PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $1.91
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N.º de artículo del Fabricante
BSP171PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP171PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3

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SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

1.9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3

BSP324H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $1.79
3,353En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP324H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP324H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3

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SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

400 V

170 mA

14.3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.9 V

4.54 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -260mA SOT-223-4

BSP92PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $1.57
5,950En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
BSP92PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP92PH6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -260mA SOT-223-4

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3,000Se espera el 10/08/2026

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SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

250 V

260 mA

7.5 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS119NH6327XTSA1
Infineon Technologies
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39,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS119NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS119NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

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39,000En pedido

Cinta cortada

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Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

2.406 Ohms

- 20 V, 20 V

1.3 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 mA
110 mA
120 mA
140 mA
150 mA
170 mA
190 mA
200 mA
230 mA
260 mA
280 mA
300 mA
330 mA
350 mA
360 mA
390 mA
430 mA
530 mA, 950 mA
540 mA
620 mA

23 mOhms
26 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
43 mOhms
44 mOhms, 62 mOhms
52 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
69 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
105 mOhms
106 mOhms
107 mOhms
108 mOhms, 173 mOhms
113 mOhms
113 mOhms, 119 mOhms
119 mOhms

550 mV
600 mV
700 mV, 1.2 V
750 mV
800 mV
900 mV
950 mV
950 mV, 900 mV
1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.6 V, 1.5 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.6 V

73 pC, 3 nC
320 pC
340 pC, 400 pC
500 pC
600 pC
600 pC, 2.4 nC
630 pC
650 pC
650 pC, 1.2 nC
800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
1.7 nC
2.1 nC
2.3 nC
2.38 nC
2.9 nC
3.6 nC
3.7 nC