Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3

BSP316PH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSP316PH6327XTSA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3

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SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

100 V

680 mA

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

5.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL316CH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSL316CH6327XTSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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$0.291

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$0.215

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N-Channel, P-Channel

2 Channel

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- 20 V, 20 V

1.6 V, 1.5 V

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- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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TSOP-6

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL308CH6327XTSA1
Infineon Technologies
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N-Channel, P-Channel

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500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

BSD235CH6327XT
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BSD235CH6327XT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

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340 pC, 400 pC

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AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

BSD235NH6327XT
Infineon Technologies
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BSD235NH6327XT

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726-BSD235NH6327XTSA

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AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3

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Infineon Technologies
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BSP170PH6327XTSA1

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P-Channel

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Enhancement

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Infineon Technologies
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1.2 A

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3

BSP315PH6327XTSA1
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BSP315PH6327XTSA1

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SOT-223-4

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -250V -430mA SOT-223-3

BSP317PH6327XTSA1
Infineon Technologies
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5,150En existencias
4,000Se espera el 30/07/2026

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BSP317PH6327XTSA1

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726-BSP317PH6327XTSA

Infineon Technologies

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$1.61

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$0.517

Envase tipo carrete

$0.468

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SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

250 V

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3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

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1.8 W

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 1A SOT-223-3

BSP322PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $1.55
6,822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP322PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP322PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V 1A SOT-223-3

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6,822En existencias

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$1.55

$0.969

$0.636

$0.493

Envase tipo carrete

$0.445

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SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

100 V

1 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

12.4 nC

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1.8 W

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3

BSP613PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $2.48
8,737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP613PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP613PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3

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8,737En existencias

Cinta cortada

$2.48

$1.52

$1.05

$0.839

Envase tipo carrete

$0.731

$0.668

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SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

2.9 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

22 nC

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1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

BSS215PH6327XT
Infineon Technologies
1: $0.819
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N.º de artículo del Fabricante
BSS215PH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS215PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

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25,499En existencias

Cinta cortada

$0.819

$0.566

$0.359

$0.225

Envase tipo carrete

$0.169

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

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1.2 V

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500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2

BSD223PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $0.507
56,608En existencias
99,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSD223PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSD223PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2

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56,608En existencias

99,000En pedido

Cinta cortada

$0.507

$0.313

$0.198

$0.147

Envase tipo carrete

$0.108

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

2 Channel

20 V

390 mA

1.2 Ohms

- 12 V, 12 V

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500 pC

- 55 C

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250 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

BSP125H6433XTMA1
Infineon Technologies
1: $1.42
10,962En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP125H6433XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP125H6433XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

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10,962En existencias

Cinta cortada

$1.42

$0.85

$0.628

$0.486

Envase tipo carrete

$0.367

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

600 V

120 mA

25 Ohms

- 20 V, 20 V

1.9 V

4.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH

BSP372NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $1.53
6,746En existencias
10,000Se espera el 05/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSP372NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP372NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL N-CH

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6,746En existencias

10,000Se espera el 05/08/2026

Cinta cortada

$1.53

$0.94

$0.631

$0.488

Envase tipo carrete

$0.423

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

100 V

1.8 A

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- 20 V, 20 V

1.4 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSR315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $1.07
13,395En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSR315PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSR315PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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13,395En existencias

Cinta cortada

$1.07

$0.663

$0.428

$0.326

Envase tipo carrete

$0.251

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-59-3

P-Channel

1 Channel

60 V

620 mA

620 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS123NH6327XTSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSS123NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS123NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

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Hoja de datos

44,909En existencias

225,000En pedido

Cinta cortada

$0.416

$0.246

$0.161

$0.118

Envase tipo carrete

$0.09

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSS214NWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NWH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

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SOT-323-3

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1.5 A

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- 12 V, 12 V

950 mV

800 pC

- 55 C

+ 150 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3

BSS816NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH

BSL202SNH6327XTSA1
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7.5 A

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- 12 V, 12 V

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- 55 C

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BSL307SPH6327XTSA1
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30 V

5.5 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3

BSP171PH6327XTSA1
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SOT-223-4

P-Channel

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60 V

1.9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3

BSP324H6327XTSA1
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BSP324H6327XTSA1

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SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

400 V

170 mA

14.3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.9 V

4.54 nC

- 55 C

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 mA
110 mA
120 mA
140 mA
150 mA
170 mA
190 mA
200 mA
230 mA
260 mA
280 mA
300 mA
330 mA
350 mA
360 mA
390 mA
430 mA
530 mA, 950 mA
540 mA
620 mA

23 mOhms
26 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
43 mOhms
44 mOhms, 62 mOhms
52 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
69 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
105 mOhms
106 mOhms
107 mOhms
108 mOhms, 173 mOhms
113 mOhms
113 mOhms, 119 mOhms
119 mOhms

550 mV
600 mV
700 mV, 1.2 V
750 mV
800 mV
900 mV
950 mV
950 mV, 900 mV
1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.6 V, 1.5 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.6 V

73 pC, 3 nC
320 pC
340 pC, 400 pC
500 pC
600 pC
600 pC, 2.4 nC
630 pC
650 pC
650 pC, 1.2 nC
800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
1.7 nC
2.1 nC
2.3 nC
2.38 nC
2.9 nC
3.6 nC
3.7 nC