Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 27

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $4.94 2,738En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE046N08LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,738En existencias	Cinta cortada $4.94 $2.50 $2.26 $1.85 $1.73 Envase tipo carrete $1.73	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A	4.6 mOhms	20 V	2.3 V	38 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.10 4,330En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,330En existencias	Cinta cortada $5.10 $2.59 $2.34 $1.92 $1.81 Envase tipo carrete $1.81	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	100 V	13 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IST026N10NM5AUMA1 Infineon Technologies 1: $7.06 1,421En existencias	N.º de artículo del Fabricante IST026N10NM5AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IST026N10NM5AUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1,421En existencias	Cinta cortada $7.06 $3.97 $3.38 $3.08 Envase tipo carrete $3.08	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	248 A	2.6 mOhms	20 V	3.8 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	313 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $4.82 5,095En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5,095En existencias	Cinta cortada $4.82 $2.43 $2.17 $1.86 Ver Envase tipo carrete $1.68 $1.78 $1.68 $1.68	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	85 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $8.28 2,753En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQD020N10NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQD020N10NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,753En existencias	Cinta cortada $8.28 $4.38 $4.00 $3.69 $3.48 Envase tipo carrete $3.48	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	100 V	273 A	2.05 mOhms	20 V	3.8 V	107 nC	- 55 C	+ 175 C	333 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V ISC025N08NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.68 3,187En existencias 5,000Se espera el 26/10/2026	N.º de artículo del Fabricante ISC025N08NM5LF2ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC025N08NM5LF2A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3,187En existencias 5,000Se espera el 26/10/2026	Cinta cortada $5.68 $2.91 $2.64 $2.22 Envase tipo carrete $2.22 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	198 A	2.55 mOhms	20 V	3.9 V		- 55 C	+ 175 C	217 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPP083N10N5XKSA1 Infineon Technologies 1: $4.28 409En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP083N10N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP083N10N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	409En existencias	$4.28 $2.13 $1.92 $1.55 Ver $1.48 $1.43 $1.42	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	44 A	8.3 mOhms	20 V	3.8 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	36 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE050N08NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.11 905En existencias 6,000Se espera el 29/04/2027	N.º de artículo del Fabricante IQE050N08NM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE050N08NM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	905En existencias 6,000Se espera el 29/04/2027	Cinta cortada $5.11 $2.59 $2.34 $1.92 $1.86 Envase tipo carrete $1.81	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	80 V	16 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	44 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies 1: $12.83 1,555En existencias 2,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPT013N08NM5LFATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT013N08NM5LFAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1,555En existencias 2,000En pedido	Cinta cortada $12.83 $7.07 $6.59 $6.23 Envase tipo carrete $6.23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	333 A	1.3 mOhms	20 V	4.1 V	158 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Infineon Technologies IPP034N08N5XKSA1 IPP034N08N5XKSA1 Infineon Technologies 1: $5.03 615En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP034N08N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP034N08N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	615En existencias	$5.03 $2.55 $2.30 $2.03 $1.77	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	80 V	120 A	3.4 mOhms	20 V	3.8 V	69 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $9.20 55En existencias 12,600En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPTC011N08NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC011N08NM5ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	55En existencias 12,600En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPTC011N08NM5ATMA1 Existencias: 55 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 7,200 Se espera el 24/06/2027 5,400 Se espera el 08/07/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada $9.20 $5.14 $4.36 $4.11 Envase tipo carrete $3.35	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	80 V	408 A	1.1 mOhms	20 V	3.8 V	223 nC	- 55 C	+ 175 C	3.8 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.14 62En existencias 6,000Se espera el 17/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	62En existencias 6,000Se espera el 17/12/2026	Cinta cortada $5.14 $3.06 $2.43 $1.89 $1.82 Envase tipo carrete $1.78	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	13 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE050N08NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $5.07 92En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE050N08NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE050N08NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	92En existencias	Cinta cortada $5.07 $2.59 $2.31 $1.90 Ver Envase tipo carrete $1.68 $1.83 $1.77 $1.68 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	101 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPTC014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.83 12,584En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPTC014N10NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC014N10NM5ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	12,584En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPTC014N10NM5ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 3,584 Se espera el 18/02/2027 3,600 Se espera el 25/03/2027 5,400 Se espera el 15/04/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada $8.83 $4.67 $4.24 $3.86 $3.77 Envase tipo carrete $3.48 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	100 V	365 A	1.4 mOhms	20 V	3.8 V	211 nC	- 55 C	+ 175 C	3.8 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISG0616N10NM5HSCATMA1 Infineon Technologies 1: $8.84 11,751En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISG0616N10NM5HSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISG0616N10NM5HSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	11,751En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISG0616N10NM5HSCATMA1 Existencias: 0 En pedido: 5,751 Se espera el 26/11/2026 6,000 Se espera el 25/02/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada $8.84 $4.71 $4.30 $4.02 Envase tipo carrete $3.76 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TFN-10	N-Channel	2 Channel	100 V	139 A	4 mOhms	20 V	3.8 V	52 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.45 10,000Se espera el 28/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-E046N08LM5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	10,000Se espera el 28/01/2027	Cinta cortada $5.45 $2.81 $2.35 $2.03 Ver Envase tipo carrete $1.87 $1.94 $1.87 $1.87	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A	4.6 mOhms	20 V	2.3 V	38 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQD016N08NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $7.81 4,970Se espera el 26/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IQD016N08NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQD016N08NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,970Se espera el 26/11/2026	Cinta cortada $7.81 $4.67 $3.80 $3.50 $3.42 Envase tipo carrete $3.22	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	80 V	323 A	1.57 mOhms	20 V	3.8 V	106 nC	- 55 C	+ 175 C	333 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $6.06 6,000Se espera el 05/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE046N08LM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6,000Se espera el 05/11/2026	Cinta cortada $6.06 $3.90 $2.83 $2.43 Ver Envase tipo carrete $2.18 $2.37 $2.34 $2.18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A		20 V	2.3 V		- 55 C	+ 175 C		Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.38 5,979Se espera el 13/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE046N08LM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5,979Se espera el 13/10/2026	Cinta cortada $5.38 $3.08 $2.51 $2.13 Ver Envase tipo carrete $1.94 $2.07 $2.05 $1.94	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A		20 V	2.3 V		- 55 C	+ 175 C		Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.84 10,000Se espera el 22/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	10,000Se espera el 22/10/2026	Cinta cortada $4.84 $2.47 $2.20 $1.82 Ver Envase tipo carrete $1.59 $1.74 $1.63 $1.59	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	85 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package IPP023N10N5XKSA1 Infineon Technologies 1: $8.35 1,367En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPP023N10N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP023N10N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1,367En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPP023N10N5XKSA1 Existencias: 0 En pedido: 367 Se espera el 01/10/2026 1,000 Se espera el 22/10/2026 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	$8.35 $4.78 $4.37 $3.87	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	2.3 mOhms	20 V	3.8 V	168 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE050N08NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.15 4,266Se espera el 01/02/2027	N.º de artículo del Fabricante IQE050N08NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE050N08NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,266Se espera el 01/02/2027	Cinta cortada $5.15 $2.61 $2.37 $1.95 $1.89 Envase tipo carrete $1.83 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	101 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE050N08NM5SCATMA1 Infineon Technologies 6,000: $1.78 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IQE050N08NM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE050N08NM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Envase tipo carrete $1.78	Min.: 6,000 Mult.: 6,000 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	16 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	44 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement		Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V BSC023N08NS5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $6.92 Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas	N.º de artículo del Fabricante BSC023N08NS5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-S23N08NS5SCATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas	Cinta cortada $6.92 $3.60 $3.28 $2.90 $2.80 Envase tipo carrete $2.73 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	WSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	202 A	2.3 mOhms	20 V	2.2 V	78 nC	- 55 C	+ 175 C	3 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Infineon Technologies IPP020N08N5XKSA1 IPP020N08N5XKSA1 Infineon Technologies 500: $3.72 Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPP020N08N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP020N08N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas	$3.72 $3.52	Min.: 500 Mult.: 500	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	80 V	120 A	2 mOhms	20 V	3.8 V	178 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement		Tube

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