REXFET-1 100V & 150V Power MOSFETs

Renesas Electronics REXFET-1 100V and 150V Power MOSFETs implement split-gate technology, which significantly reduces the on-resistance RDSON and Figure of Merit, ideal for high-current applications. The devices are available in TOLL (TO-Leadless), TOLG (TO Leaded Gullwing), and TOLT (TO top-side cooled) packages for exceptional thermal performance and maximum power capability. Additionally, the MOSFETs feature wettable flank packaging for excellent solder joint performance. The REXFET-1 MOSFETs are AEC-Q100 qualified with PPAP support for automotive applications.

Resultados: 32
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLT 924En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,300

Si SMD/SMT N-Channel 150 V 200 A 3.4 mOhms 4 V 96 nC Enhancement RB Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLG 1,199En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

SMD/SMT TOLG-8 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.5 mOhms 170 nC RX Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL 1,592En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.5 mOhms 170 nC SmartBond Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 2.9mohm 5x6pkg 3,852En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT SO8-FL N-Channel 100 V 160 A 2.9 mOhms 4 V 90 nC Enhancement SmartBond Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLT 1,040En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,300

Si SMD/SMT N-Channel 150 V 200 A 3.4 mOhms 4 V 96 nC Enhancement SmartBond Reel, Cut Tape, MouseReel


Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL 1,511En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

RB Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLG 1,110En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

RB Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 2.9mohm 5x6pkg
5,000Se espera el 02/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT SO8-FL N-Channel 100 V 160 A 2.9 mOhms 4 V 90 nC Enhancement RB Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLL
1,995Se espera el 01/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 150 V 200 A 3.4 mOhms 4 V 96 nC Enhancement RB Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLL
2,000Se espera el 01/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 150 V 200 A 3.4 mOhms 4 V 96 nC Enhancement SmartBond Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
3,000Se espera el 10/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT uSO8-FL N-Channel 100 V 40 A 11.1 mOhms 4 V 28 nC Enhancement RB Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
3,000Se espera el 26/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT uSO8-FL N-Channel 100 V 40 A 11.1 mOhms 4 V 28 nC Enhancement RB Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete: 5,000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.7 mOhms 4 V 80 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete: 5,000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 21mohm 3x3pkg Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

GaN SMD/SMT uSO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 20 A 21 mOhms 4 V 18 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

GaN SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1,300
Mult.: 1,300
Carrete: 1,300

GaN SMD/SMT TOLT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLT Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1,300
Mult.: 1,300
Carrete: 1,300

RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLL Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.5 mohm TOLT Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1,300
Mult.: 1,300
Carrete: 1,300

RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLT Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1,300
Mult.: 1,300
Carrete: 1,300

RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLL Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLT Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1,300
Mult.: 1,300
Carrete: 1,300

RX Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLL Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

RX Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 1.5 mohm TOLT Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,300

RX Reel, Cut Tape, MouseReel