Resultados: 35
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified 4,007En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 76 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified 4,568En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified 19,283En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 170 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L 13,417En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 80 V 16 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id 6,673En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 185 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK SC-70-6L 2,999En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 20 V 2.68 A 113 mOhms - 8 V, 8 V 1.5 V 5.3 nC - 55 C + 175 C 13.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id 474En existencias
4,000Se espera el 26/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 210 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 5,329En existencias
39,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 80 V 32 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 90 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 164 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified
5,997Se espera el 06/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 20 V 3.75 A 160 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 3.4 nC - 55 C + 175 C 13.6 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel