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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified 2,244En existencias
51,000En pedido
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 170 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified 2,125En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 12 V 60 A 4.8 mOhms - 8 V, 8 V 1.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 1,464En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 30 V 75 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK 5,181En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8W-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
206,173En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 80 V 32 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 90 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
12,948En pedido
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 93 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 350 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60V Automotive MOSFET
9,585En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 60 V 110 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 200 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -100Vds 20Vgs
40,799Se espera el 02/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 120 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified N/A
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 164 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel