Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Enhancement

AEC-Q101

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD40131EL_GE3
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P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

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2 V

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+ 175 C

62 W

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AEC-Q101

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SQJ459EP-T1_GE3
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52 A

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AEC-Q101

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TSOP-6

P-Channel

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TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

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15.3 nC

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SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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P-Channel

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40 V

55 A

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1.5 V

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68 W

Enhancement

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

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SQA401EJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQA401EJ-T1_GE3

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3.75 A

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SQD40081EL_GE3
Vishay / Siliconix
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SQD40081EL_GE3

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78-SQD40081EL_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

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Vishay / Siliconix
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- 20 V, 20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

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- 20 V, 20 V

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136 W

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16 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

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- 20 V, 20 V

2.5 V

800 nC

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+ 175 C

375 W

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TrenchFET

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SC-70-6

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2.68 A

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13.6 W

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25 A
30 A
32 A
36 A
50 A
52 A
55 A
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75 A

2.5 mOhms
4.4 mOhms
4.8 mOhms
5.1 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
8.1 mOhms
8.5 mOhms
9.2 mOhms
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13 mOhms
13.5 mOhms
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15.5 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
25 mOhms
33 mOhms
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8 nC
9 nC
12.5 nC
15 nC
15.3 nC
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29 nC
50 nC
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73 nC
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