STQ2HNK60ZR-AP

STMicroelectronics
511-STQ2HNK60ZR-AP
STQ2HNK60ZR-AP

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package

Modelo ECAD:
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En existencias: 3,767

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
13 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$1.73 $1.73
$1.10 $11.00
$0.727 $72.70
$0.577 $288.50
$0.515 $515.00
Envase tipo caja "Ammo Pack" completo (pedir en múltiplos de 2000)
$0.446 $892.00
$0.419 $1,676.00
$0.40 $4,000.00
$0.399 $9,576.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-92-3
N-Channel
1 Channel
600 V
500 mA
4.8 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
3 W
Enhancement
SuperMESH
Ammo Pack
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 50 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 30 ns
Serie: STQ2HNK60ZR-AP
Cantidad de empaque de fábrica: 2000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 13 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 10 ns
Peso de la unidad: 453.600 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

MXHTS:
85412999
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99