TO-247-3 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
Hoja de datos
315En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
3,466En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 900

Vishay Semiconductors SCR NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248
Hoja de datos
973En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
23,399En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Hoja de datos
388En existencias
600Se espera el 08/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC
Hoja de datos
512En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS IGBTs IXYH55N120C4H1
Hoja de datos
629En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
641En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20


Littelfuse Rectificadores y diodos Schottky 2x 20A 100V Rectifier
Hoja de datos
7,662En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
7,798En existencias
2Se espera el 05/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
Hoja de datos
1,148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
Hoja de datos
1,352En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V
Hoja de datos
1,475En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650V 75A 27.4mOhm
Hoja de datos
1,256En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM
Hoja de datos
1,907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Hoja de datos
2,423En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Hoja de datos
1,112En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Hoja de datos
551En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3
Hoja de datos
290En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
Hoja de datos
6,574En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60


Littelfuse Rectificadores y diodos Schottky 2x 30A 45V Rectifier
Hoja de datos
11,735En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi IGBTs 650V40A FS4 IGBT TO-247LL
Hoja de datos
6,642En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V
Hoja de datos
9,611En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Bourns Diodos Schottky de SiC 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3
Hoja de datos
2,918En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
1,090En existencias
Min.: 1
Mult.: 1