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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
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3,518En existencias
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: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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5,250En existencias
Min.: 1
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: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
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7,607En existencias
5,000Se espera el 22/04/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
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315En existencias
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STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
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33En existencias
61En pedido
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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611En existencias
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: 750

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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4,349En existencias
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Máx.: 3,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
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4,698En existencias
6,000Se espera el 10/12/2026
Min.: 1
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: 6,000
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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2,030En existencias
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Máx.: 3,000
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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690En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
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637En existencias
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Mult.: 1
: 3,000

Bourns Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD 5V BI SOD323
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2,081En existencias
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: 3,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
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353En existencias
10,000Se espera el 21/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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1,749En existencias
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Máx.: 2,000
onsemi GaN FETs GaN FET, 700V, 132m, DPAK
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2,490En existencias
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Máx.: 25
: 250

Bourns Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS DIO TVS VWM 03V 400W BIDIR SOD323 AUTO GRADE
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2,100En existencias
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: 3,000

Bourns Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS DIO TVS VWM 36V 400W BIDIR SOD323 AUTO GRADE
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2,100En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56
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2,079En existencias
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Máx.: 300
: 3,000

Bourns Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD 5V UNI
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8,400En existencias
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: 12,000

onsemi IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE
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693En existencias
Min.: 1
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Máx.: 80
: 800

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
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1,040En existencias
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Máx.: 150
: 1,500

Microchip Technology Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3
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3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Bourns Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS DIO TVS VWM 24V 350W BIDIR SOD323 Automotive
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2,044En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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5,950En existencias
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: 3,000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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1,258En existencias
3,000Se espera el 06/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000