Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
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NVMFD5877NLWFT1G-UM
onsemi
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
MBR1060DC-AU_R2_006A1
Panjit
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Panjit
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
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N.º de artículo de Mouser 863-NSVT5551DW1T1G
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
FDMS3669S
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
BAV199T-7-F
Diodes Incorporated
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
DMG1016V-7
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 621-DMG1016V-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser 78-SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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Módulos MOSFET 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
BSM250D17P2E004
ROHM Semiconductor
1:
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N.º de artículo de Mouser 755-BSM250D17P2E004
ROHM Semiconductor
Módulos MOSFET 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM6L14FETE85LF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
211,531 En existencias
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
PMD2001D,115
Nexperia
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184,970 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PMD2001D115
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
184,970 En existencias
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
PMP4201Y,135
Nexperia
1:
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N.º de artículo de Mouser 771-PMP4201Y135
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
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1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
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110,643 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
110,643 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
$1.13
301,476 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
301,476 En existencias
1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
$2.89
71,040 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
71,040 En existencias
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
$2.57
28,792 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
28,792 En existencias
Embalaje alternativo
1
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
NCP51560BBDWR2G
onsemi
1:
$4.91
1,220 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NCP51560BBDWR2G
onsemi
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
1,220 En existencias
1
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
XP3832CMT
YAGEO XSemi
1:
$2.59
2,997 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP3832CMT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
2,997 En existencias
1
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
FDC6318P
onsemi
1:
$1.60
54,957 En existencias
N.º de artículo de Mouser 512-FDC6318P
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
54,957 En existencias
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$0.58
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Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/-20V N/P
FDC6420C
onsemi
1:
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217,741 En existencias
159,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 512-FDC6420C
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/-20V N/P
217,741 En existencias
159,000 En pedido
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Existencias:
217,741 Se puede enviar inmediatamente
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123,000 Se espera el 02/09/2026
36,000 Se espera el 09/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
46 Semanas
1
$1.39
10
$0.64
100
$0.537
500
$0.436
1,000
$0.384
3,000
$0.334
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Carrete :3,000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
1SS226,LF
Toshiba
1:
$0.299
740,376 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS226LF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
740,376 En existencias
1
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Carrete :3,000
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