Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
AFT09MS031GNR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
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1
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$34.46
25
$32.16
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$31.32
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500
$28.30
100
$29.97
250
$29.03
500
$28.30
1,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
500
Detalles
N-Channel
Si
10 A
40 V
764 MHz to 941 MHz
15.7 dB
32 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 520 MHz, 8 W, 12.5 V
MRF1518NT1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 520 MHz, 8 W, 12.5 V
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1
$19.27
10
$12.62
25
$10.71
50
$9.96
100
Ver
1,000
$7.46
100
$9.30
250
$8.79
1,000
$7.46
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
N-Channel
Si
4 A
40 V
520 MHz
13 dB
8 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PLD-1.5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V
MRF6V12250HR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V
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Mult.: 1
Carrete :
50
Detalles
N-Channel
Si
100 V
960 MHz to 1.215 GHz
20.3 dB
275 W
+ 150 C
Screw Mount
NI-780
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V
MRF6V12500HR5
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841-MRF6V12500HR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V
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1
$1,392.78
10
$1,230.27
50
$1,230.27
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
50
Detalles
N-Channel
Si
110 V
1.215 MHz to 960 MHz
19.7 dB
500 W
+ 150 C
Screw Mount
NI-780H-2
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
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$579.71
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841-MRFE6VP5600HR5
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NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
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Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
50
Detalles
N-Channel
Si
2 A
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
25 dB
600 W
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 965-1215 MHz, 1000 W, 50 V
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors
1:
$1,438.59
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
841-MRF6VP121KHR5
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NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 965-1215 MHz, 1000 W, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
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$1,438.59
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$1,176.75
50
$1,176.75
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
50
Detalles
N-Channel
Si
110 V
20 dB
1 kW
+ 150 C
Screw Mount
NI-1230-4
Reel, Cut Tape