CA Memoria RAM magnetorresistiva

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
189En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz
Hoja de datos
70En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray

Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13IS2T
Hoja de datos
67En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 8Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM008LXQBDH13ES2T
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray

Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 32Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM032LXQAB313ES2T
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-24 SPI 32 Mbit 4 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
80En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
Hoja de datos
58En existencias
2,280Se espera el 11/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
5En existencias
216Se espera el 14/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3V 128Kx8 Serial Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
11En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
9En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 128Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
Hoja de datos
90Se espera el 15/01/2027
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 QSPI 128 Mbit 16 M x 9 1.7 V 2 V - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
Hoja de datos
1,140Se espera el 02/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
Hoja de datos
5,550En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
Hoja de datos
7,845En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
Hoja de datos
7,059En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
1,620Se espera el 16/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
810En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
412Se espera el 14/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
252Se espera el 09/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
258Se espera el 16/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Tray
Renesas Electronics M30044010035X0ISAR
Renesas Electronics Memoria RAM magnetorresistiva M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ Memoria RAM magnetorresistiva Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000

SPI 4 Mbit M3004401 Reel
Renesas Electronics M30044010035X0ISAY
Renesas Electronics Memoria RAM magnetorresistiva M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ Memoria RAM magnetorresistiva Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300

SPI 4 Mbit M3004401 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 1,200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1016204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 3 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SOIC-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3008204 Tray