+ 105 C Memoria RAM magnetorresistiva

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 128Kx8 QUAD SPI Memoria RAM magnetorresistiva -40 - +105C
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000

BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 105 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 QUAD SPI Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 105 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 696
Mult.: 348

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 270
Mult.: 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 105 C MR25H40 Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Reel