16 bit Memoria RAM magnetorresistiva

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
1,038En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
1,047En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
420En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
272En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
1,088En existencias
1,485Se espera el 21/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
1,184En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
1,639En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 3.3V 32Mb Memoria RAM magnetorresistiva with unlimited read & write endurance, currently MSL 3
Hoja de datos
694En existencias
960Se espera el 07/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
210En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
73En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
189En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
5En existencias
216Se espera el 14/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
65En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
412Se espera el 14/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR2A16A Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 1,008
Mult.: 168
FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
FBGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500
TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
TSOP-54 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
FBGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500
TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
TSOP-54 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
FBGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500
TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Reel