2.1 V Semiconductores

Tipos de Semiconductores

Cambiar Vista por categorías
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
STMicroelectronics GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor 270En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 1,525En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 1,774En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE 20,067En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 2,087En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 780En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 809En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 2,987En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 1,099En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 3,394En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN029-100HL/SOT1205/LFPAK56D 3,520En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2 12,642En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 30,944En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 25V 82A 5,903En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M 54,985En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT563 T&R 3K 2,814En existencias
3,000Se espera el 16/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN033-100HL/SOT1205/LFPAK56D 2,679En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN045-100HL/SOT1205/LFPAK56D 2,100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 8,699En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M12-60E/SOT1210/mLFPAK 11,079En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 1,067En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN013-60HL/SOT1205/LFPAK56D 1,449En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2 1,033En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2 1,560En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A 8,651En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000