AEC-Q101 Si Semiconductores

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Taiwan Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky 20A, 120V, Automotive Trench Schottky 3,148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,500

Taiwan Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky 10A, 100V, Automotive Trench Schottky 3,150En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,500

Taiwan Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky 10A, 45V, Automotive Trench Schottky 3,150En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,500

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101 14,862En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) 56,148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) 29,717En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ 14,125En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Nexperia Rectificadores y diodos Schottky PMEG060V100EPE-Q/SOT1289B/CFP1 14,253En existencias
45,000Se espera el 29/03/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Nexperia Rectificadores y diodos Schottky PMEG045V050EPE-Q/SOT1289B/CFP1 9,884En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET 11,247En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
: 2,000
onsemi IGBTs 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT 6,097En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30
: 800


Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified 25,283En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 136W AEC-Q101 Qualified 21,670En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified 60,451En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 21,440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified 285,226En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified 60,938En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified 13,785En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified 30,481En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) 1,589En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 42,001En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000


Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified 138,084En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000


Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified 143,265En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified 25,509En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 10,916En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000