PDFN-8 Semiconductores

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 30V 19.5A 5.2mOhms
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 30V 20.7A 4.7mOhms
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

MACOM Amplificador de RF 1.4-4.0GHz NF .6dB Gain=17.5dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MACOM Amplificador de RF Amplifier,LNA,18-31.5 GHz,2mm,1k reel
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

MACOM MAAL-011198-TR1000
MACOM Amplificador de RF Amplifier,LNA,32-37GHz,2mm,1K reel
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000

Taiwan Semiconductor GaN FETs 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 9,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Taiwan Semiconductor GaN FETs 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 9,000
Mult.: 3,000
: 3,000