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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Qorvo Amplificador de RF 13-15.5GHz PAE >32% SSG 29.5dB GaN
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20En existencias
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MACOM Circuitos integrados de interruptores de RF 50MHz-20GHz IL 1.2dB @20GHz
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2,300En existencias
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Vishay / BC Components Termistores de coeficiente de temperatura negativo (NTC) NTC BARE DIE AG2 5K 1% TAPE E4
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500En existencias
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CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
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3En existencias
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: 10

Qorvo Detectores de fase/ tramoyistas 6-18GHz 360 deg 6 Bit LSB 5.625
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60En existencias
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Vishay / BC Components Termistores de coeficiente de temperatura negativo (NTC) 4.7Kohm 1% 3435K 1% Silver Term
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3,911En existencias
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: 2,000


Texas Instruments Amplificadores de transimpedancia Programmable-gain di fferential-output h
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2,784En existencias
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: 3,000

Qorvo Amplificador de RF .03-2.5GHz 10W GaN Sm Sig. Gain 19dB
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50En existencias
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MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
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Qorvo Amplificador de RF 6-18GHz CW PAE >20% GaN
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10En existencias
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Qorvo Amplificador de RF 32-38GHz 4W Gain 18dB
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10En existencias
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CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
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100En existencias
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Qorvo Amplificador de RF 2-18GHz PAE>20% SSG 22dB GaN
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10En existencias
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Qorvo Amplificador de RF 13-18GHz 6.5W Gain 24dB Psat 38dBm
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15En existencias
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Qorvo Amplificador de RF 7-14GHz LNA DIE
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50En existencias
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MACOM Circuitos integrados de interruptores de RF 2-18GHz ISO 40dB IL 1.2dB @ 18GHz
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100En existencias
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Qorvo Acondicionamiento de señales 3-25 GHz Passive Limiter
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100En existencias
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MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
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30En existencias
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NXP Semiconductors Etiquetas y Transpondedores NFC/RFID ICODE SLIX
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6,339En existencias
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Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
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Qorvo Acondicionamiento de señales .1-20GHz 10W GaAs IL <.7dB
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87En existencias
Min.: 1
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CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
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90En existencias
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MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
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MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
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Texas Instruments THS3491YR
Texas Instruments Amplificadores operacionales de alta velocidad 900-MHz high-power-o utput current-feedb
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2,873En existencias
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Min.: 1
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: 3,000