Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs offers a comprehensive portfolio of P-channel automotive power MOSFETs with the technology of OptiMOS-P2 and Gen5. The Automotive MOSFETs are AEC qualified and supports a 175°C operating temperature. The Infineon OptiMOS-P2 Automotive MOSFETs are available in DPAK, D2PAK, TO220, TO262, and SO8 packages.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P03P4L11ATMA2
Infineon Technologies
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IPD50P03P4L11ATMA2

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726-IPD50P03P4L11ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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SMD/SMT

TO-252-3-11

P-Channel

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- 16 V, 5 V

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P03P4L04ATMA2
Infineon Technologies
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IPD90P03P4L04ATMA2

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$1.81

$1.51

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$1.33

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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30 V

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- 16 V, 5 V

1.5 V

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137 W

Enhancement

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IPB120P04P404ATMA2
Infineon Technologies
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$2.70

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120 A

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$3.63

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IPB180P04P4L02ATMA2
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$4.28

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TO-263-7

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IPD50P04P413ATMA2
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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TC252-3-313

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

12.3 mOhms

- 16 V, 5 V

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45 nC

- 55 C

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58 W

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IPD80P03P4L07ATMA2
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IPD80P03P4L07ATMA2

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80 A

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IPD90P03P404ATMA2
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DPAK-3 (TO-252-3)

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30 V

90 A

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+ 175 C

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IPD90P04P405ATMA2
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IPD90P04P405ATMA2

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: 2,500

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DPAK-3 (TO-252-3)

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90 A

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Reel, Cut Tape

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IPB80P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: $4.86
1,749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80P04P405ATM2

Infineon Technologies

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Cinta cortada

$4.86

$3.16

$2.21

$1.86

Envase tipo carrete

$1.72

$1.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3-2

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

116 nC

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+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD70P04P409ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.82
2,616En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70P04P409ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70P04P409ATMA

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2,616En existencias

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$2.82

$1.79

$1.21

$0.982

Envase tipo carrete

$0.822

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

73 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD70P04P4L08ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.94
23En existencias
7,500Se espera el 14/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD70P04P4L08ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70P04P4L08ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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23En existencias

7,500Se espera el 14/09/2026

Cinta cortada

$2.94

$1.78

$1.22

$1.02

Envase tipo carrete

$0.855

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

70 A

9.5 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P04P4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: $3.81
3,599En existencias
7,500Se espera el 03/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P04P4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P04P4L04AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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3,599En existencias

7,500Se espera el 03/09/2026

Cinta cortada

$3.81

$2.38

$1.76

$1.44

Envase tipo carrete

$1.25

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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