OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs offers a comprehensive portfolio of P-channel automotive power MOSFETs with the technology of OptiMOS-P2 and Gen5. The Automotive MOSFETs are AEC qualified and supports a +175°C operating temperature. The Infineon OptiMOS-P2 Automotive MOSFETs are available in DPAK, D2PAK, TO220, TO262, and SO8 packages.

Resultados: 20
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 3,765En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 13 mOhms - 16 V, 5 V 1.5 V 42 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 15,954En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 90 A 4.1 mOhms - 16 V, 5 V 1.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 4,278En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 P-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.9 mOhms - 16 V, 5 V 3 V 158 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 2,409En existencias
2,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3-2 P-Channel 1 Channel 40 V 120 A 4 mOhms - 16 V, 5 V 3 V 180 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 3,623En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 P-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2 mOhms 20 V 3 V 190 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 2,795En existencias
4,000Se espera el 08/07/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 P-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.6 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 220 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 18,119En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TC252-3-313 P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 12.3 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 45 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 7,417En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 70 A 9.5 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 71 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 13,209En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 80 A 8.7 mOhms - 16 V, 5 V 1.5 V 63 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 4,641En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 90 A 4.5 mOhms 20 V 3 V 100 nC - 55 C + 175 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 2,339En existencias
5,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.7 mOhms 20 V 3 V 118 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 7,829En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 135 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 7,878En existencias
2,500Se espera el 08/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 9.2 mOhms 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 2,579En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 73 A 6.4 mOhms 20 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
1,000Se espera el 29/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 P-Channel 1 Channel 40 V 264 A 2 mOhms - 5 V, 16 V 2.2 V 202 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
1,000Se espera el 29/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 P-Channel 1 Channel 40 V 163 A 3.7 mOhms - 5 V, 16 V 2.2 V 112 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
1,000Se espera el 29/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 P-Channel 1 Channel 40 V 70 A 10.5 mOhms - 5 V, 16 V 2.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 77 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
1,000Se espera el 29/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 P-Channel 1 Channel 40 V 248 A 2.3 mOhms 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
1,000Se espera el 29/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 P-Channel 1 Channel 40 V 151 A 4.3 mOhms 20 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package
1,000Se espera el 29/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 P-Channel 1 Channel 40 V 64 A 12.5 mOhms 20 V 4 V 34 nC - 55 C + 175 C 78 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape