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NTMFWS1D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFWS1D5N08XT1G
Price: 5.66 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-NTMFWS1D5N08XT1G

Fabricante N.º:

NTMFWS1D5N08XT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

Hoja de datos:

NTMFWS1D5N08XT1G Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO8FL-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	253 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.43 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	83 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	194 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	176 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9 ns
Serie:	NTMFWS1D5N08X
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	43 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24 ns

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PCN

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Japón

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

Cloud/Data Center Power Management Solutions

Cloud and data center power infrastructure is entering an unprecedented period of growth, driven by hyperscale expansion, AI workloads, and the rapid rise of data‑intensive applications. As cloud service providers and enterprise data centers scale global footprints, efficient, reliable power delivery has become a critical enabler of performance, availability, and total cost of ownership.

NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET

onsemi NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET incorporates a low Q_RR and soft recovery body diode, reducing switching losses. The NTMFWS1D5N08X device offers low R_DS(on) to minimize conduction losses, ensuring efficient operation. Additionally, its low Q_G and capacitance contribute to minimizing driver losses. onsemi NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET is lead free, halogen free, BFR free, and RoHS compliant.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

PRODUCTOS DESTACADOS

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NVMTS1D1N08X N‐Channel Power MOSFETs

80V automotive MOSFETs with low on-resistance and soft-recovery body diode.

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80V Single N-Channel Power MOSFETs

Offer low R_DS(on) to minimize conduction losses & low QG and capacitance to minimize driver losses.

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Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

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NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

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NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

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	$2.76	$276.00
	$2.31	$1,155.00
	$2.15	$2,150.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$2.15	$3,225.00

NTMFWS1D5N08XT1G

Fabricante: onsemi

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

Especificaciones

Documentos (4)

Hoja de datos

PCN

Documentos ambientales

Cumplimiento de productos y comercio

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