Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT017N12NM6ATMA1
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Si
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HSOF-8
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120 V
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2.6 V
113 nC
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HDSOP-16
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120 V
331 A
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3.6 V
113 nC
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OptiMOS
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ISC037N12NM6ATMA1
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3.6 V
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OptiMOS
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IPP022N12NM6AKSA1
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ISC032N12LM6ATMA1
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33 nC
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ISC073N12LM6ATMA1
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TDSON-8
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ISC078N12NM6ATMA1
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SuperSO-8
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120 V
85 A
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20 V
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+ 175 C
125 W
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Reel, Cut Tape
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ISC104N12LM6ATMA1
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SMD/SMT
TDSON-8
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OptiMOS
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ISC110N12NM6ATMA1
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Si
SMD/SMT
SuperSO-8
N-Channel
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120 V
62 A
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Reel, Cut Tape
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IPB022N12NM6ATMA1
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3
N-Channel
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120 V
167 A
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20 V
3.1 V
113 nC
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395 W
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Reel, Cut Tape
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IPTC026N12NM6ATMA1
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726-IPTC026N12NM6ATM
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Si
SMD/SMT
HDSOP-16
N-Channel
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222 A
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- 55 C
+ 175 C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
ISC320N12LM6ATMA1
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1:
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5,000 Se espera el 08/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-ISC320N12LM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
74 En existencias
5,000 Se espera el 08/10/2026
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
120 V
24 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
ISC030N12NM6ATMA1
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14,996 Se espera el 19/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N12NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
14,996 Se espera el 19/11/2026
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Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
1 Channel
120 V
194 A
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- 55 C
+ 175 C
250 W
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OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
ISZ106N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
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69,900 En pedido
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726-ISZ106N12LM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
69,900 En pedido
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En pedido:
4,900 Se espera el 10/12/2026
65,000 Se espera el 19/08/2027
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
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5,000
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
120 V
62 A
10.6 mOhms
20 V
2.2 V
10.4 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPTG017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$8.98
3,600 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPTG017N12NM6ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
3,600 En pedido
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En pedido:
1,800 Se espera el 24/09/2026
1,800 Se espera el 15/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
17 Semanas
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Mult.: 1
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1,800
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOG-8
N-Channel
1 Channel
120 V
331 A
1.7 mOhms
20 V
3.1 V
113 nC
- 55 C
+ 175 C
395 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
ISZ330N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.03
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ330N12LM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Mult.: 1
Carrete :
5,000
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
120 V
24 A
33 mOhms
20 V
2.2 V
3.6 nC
- 55 C
+ 175 C
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OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Infineon Technologies IPB133N12NM6ATMA1
IPB133N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1,000:
$1.60
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IPB133N12NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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Si
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Infineon Technologies IPB035N12NM6ATMA1
IPB035N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1,000:
$3.47
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IPB035N12NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
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Mult.: 1,000
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
1 Channel
120 V
138 A
3.5 mOhms
20 V
3.6 V
58 nC
- 55 C
+ 175 C
246 W
Enhancement
Reel