Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.

Resultados: 11
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
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2,473En existencias
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Mult.: 1

CEL Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
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3,180En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
Hoja de datos
3,055En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
Hoja de datos
14,461En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
Hoja de datos
12,182En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 15,000

CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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4,606En existencias
Min.: 1
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CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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13,028En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
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3,039En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
Hoja de datos
27,643En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 15,000

CEL Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
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239En existencias
Min.: 1
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CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 15,000
Mult.: 15,000
: 15,000