Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp STP20NM60FD STMicroelectronics 1: $8.58 4,251En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP20NM60FD N.º de artículo de Mouser 511-STP20NM60FD	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	4,251En existencias	$8.58 $5.99 $5.34 $4.88 $4.81	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	290 mOhms	30 V	3 V	54 nC	- 65 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp STB20NM50FDT4 STMicroelectronics 1: $7.96 1,900En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante STB20NM50FDT4 N.º de artículo de Mouser 511-STB20NM50FD NRND	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp	Hoja de datos	1,900En existencias	Cinta cortada $7.96 $5.21 $4.78 $4.45 Envase tipo carrete $4.32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	20 A	250 mOhms	30 V	5 V	38 nC	- 65 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	FDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II STP11NM60ND STMicroelectronics 1: $7.81 415En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante STP11NM60ND N.º de artículo de Mouser 511-STP11NM60ND NRND	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	415En existencias	$7.81 $5.12 $3.82 $3.19 $2.72	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	450 mOhms	25 V	3 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR STF10NM60ND STMicroelectronics 1: $3.42 944En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante STF10NM60ND N.º de artículo de Mouser 511-STF10NM60ND NRND	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	944En existencias	$3.42 $1.72 $1.55 $1.52 $1.43	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	8 A	600 mOhms	25 V	3 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp STP20NM50FD STMicroelectronics 1: $11.12 767En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP20NM50FD N.º de artículo de Mouser 511-STP20NM50FD	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	767En existencias	$11.12 $6.05 $5.55 $5.15	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	20 A	250 mOhms	30 V	3 V	56 nC	- 65 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp STW20NM50FD STMicroelectronics 1: $11.26 376En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW20NM50FD N.º de artículo de Mouser 511-STW20NM50FD	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp	Hoja de datos	376En existencias	$11.26 $6.59 $6.47 $5.88	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	500 V	20 A	250 mOhms	30 V	3 V	53 nC	- 65 C	+ 150 C	214 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp STW20NM60FD STMicroelectronics 1: $10.04 630En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW20NM60FD N.º de artículo de Mouser 511-STW20NM60FD	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	630En existencias	$10.04 $5.28 $4.85 $4.45	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	290 mOhms	30 V	3 V	37 nC	- 65 C	+ 150 C	214 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A STF11NM60ND STMicroelectronics 1: $7.38 62En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante STF11NM60ND N.º de artículo de Mouser 511-STF11NM60ND NRND	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	62En existencias	$7.38 $3.86 $3.33 $2.91 Ver $2.86 $2.83	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	450 mOhms	25 V	4 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II STD11NM60ND STMicroelectronics 1: $6.49 Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante STD11NM60ND N.º de artículo de Mouser 511-STD11NM60ND NRND	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas	Cinta cortada $6.49 $3.35 $3.30 $3.00 Envase tipo carrete $2.80 Ver $2.90 $2.68 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	450 mOhms	25 V	3 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	FDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel

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