Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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ASFET para avalancha repetitiva

Los ASFET para avalancha repetitiva de Nexperia ofrecen un voltaje máximo de drenaje a fuente de 40 V_DS a 60 V_DS, rango de corriente de drenaje de 16 I_D a 40 I_D y carga de puerta a drenaje de 7.9 _GD. Los ASFET cuentan con completa calificación automotriz para AEC-Q101 y ofrecen alta solidez, confiabilidad y tecnología de paquete clip de cobre LFPAK. Los ASFET para avalancha repetitiva de Nexperia son ideales para sistemas automotrices de 12 V, 24 V y 48 V, topologías de avalancha repetitiva y aplicaciones de control de motores.

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Resultados: 3

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K61-100L/SOT1205/LFPAK56D BUK9K61-100LX Nexperia 1: $1.92 1,171En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante BUK9K61-100LX N.º de artículo de Mouser 771-BUK9K61-100LX Fin de vida útil	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K61-100L/SOT1205/LFPAK56D	Hoja de datos	1,171En existencias	Cinta cortada $1.92 $0.901 $0.801 $0.725 Envase tipo carrete $0.502 Ver $0.62 $0.499 $0.482 $0.472 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500																Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K13-60RA/SOT1205/LFPAK56D BUK9K13-60RAX Nexperia 1: $2.90 69En existencias	N.º de artículo del Fabricante BUK9K13-60RAX N.º de artículo de Mouser 771-BUK9K13-60RAX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K13-60RA/SOT1205/LFPAK56D Obtenga más información sobre Nexperia buk9k mosfets	Hoja de datos	69En existencias	Cinta cortada $2.90 $1.89 $1.43 $1.15 Envase tipo carrete $0.966 Ver $1.03 $0.917 $0.833 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SOT-1205-8	N-Channel	2 Channel	60 V	40 A	12.5 mOhms	10 V	2.1 V	22.4 nC	- 55 C	+ 175 C	64 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K52-60RA/SOT1205/LFPAK56D BUK9K52-60RAX Nexperia 1: $1.65 2,146En existencias	N.º de artículo del Fabricante BUK9K52-60RAX N.º de artículo de Mouser 771-BUK9K52-60RAX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K52-60RA/SOT1205/LFPAK56D Obtenga más información sobre Nexperia buk9k mosfets	Hoja de datos	2,146En existencias	Cinta cortada $1.65 $0.766 $0.679 $0.527 Envase tipo carrete $0.452 Ver $0.454 $0.397 $0.393 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	LFPAK-56D-8	N-Channel	2 Channel	60 V	16 A	55 mOhms	10 V	2.1 V	5.6 nC	- 55 C	+ 175 C	32 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

ASFET para avalancha repetitiva

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