Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 8,262En existencias
Cinta cortada
$2.29
$1.09
$0.712
$0.603
Envase tipo carrete
$0.603
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.26 mOhms 16 V 1.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 1,470En existencias
5,000Se espera el 03/06/2027
Cinta cortada
$2.63
$1.63
$1.07
$0.839
Envase tipo carrete
$0.566
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 18 mOhms 20 V 3 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 7,003En existencias
20,000Se espera el 19/11/2026
Cinta cortada
$3.97
$2.22
$1.72
$1.39
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Envase tipo carrete
$1.19
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.5 mOhms 20 V 2.2 V 76 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 8,613En existencias
Cinta cortada
$3.58
$1.82
$1.52
$1.28
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Envase tipo carrete
$1.08
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 6.2 mOhms 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 1,264En existencias
14,000En pedido
Cinta cortada
$8.62
$4.55
$4.16
$3.81
$3.46
Envase tipo carrete
$3.39
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 1.5 mOhms 20 V 2.2 V 166 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 7,915En existencias
Cinta cortada
$1.72
$0.801
$0.71
$0.553
Envase tipo carrete
$0.411
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 20 A 30 mOhms 20 V 2 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 3,237En existencias
Cinta cortada
$8.62
$4.58
$4.19
$3.89
$3.68
Envase tipo carrete
$3.68
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.4 mOhms 20 V 3.8 V 144 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) 392En existencias
20,000En pedido
Cinta cortada
$1.95
$0.914
$0.813
$0.636
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Envase tipo carrete
$0.477
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8-3 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10 mOhms 16 V 1.7 V 12.7 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 766En existencias
Cinta cortada
$6.25
$3.22
$2.93
$2.73
$2.38
Envase tipo carrete
$2.38
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 3.7 mOhms 20 V 2.2 V 110 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape