600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs

ROHM Semiconductor 600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs utilize original patented technology to accelerate the parasitic diode, achieving ultra-fast reverse recovery characteristics to achieve low power consumption. The PrestoMOS design enables a reduction in power loss of about 58% at light loads when compared with IGBT implementations. Additionally, raising the reference voltage needed to turn ON the MOSFET prevents self-turn-ON, which is one of the main causes of loss. The optimized built-in parasitic diode improves the soft recovery index specific to Super Junction MOSFETs, which reduces noise that can lead to malfunction.

Resultados: 14
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 165A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,985En existencias
$12.23
$6.71
$6.18
$5.79
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 71 mOhms 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 39A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,891En existencias
$5.33
$2.90
$2.64
$2.16
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 300 mOhms 30 V 6.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover
Hoja de datos
700En existencias
$18.71
$10.86
$10.78
$10.08
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 51 Ohms 30 V 6.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 39A N-CH MOSFET
Hoja de datos
5,047En existencias
Cinta cortada
$4.73
$2.59
$2.34
$1.94
$1.92
Envase tipo carrete
$1.79
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 300 mOhms 30 V 6.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 650V 165A N-CH MOSFET
Hoja de datos
567En existencias
$13.27
$9.50
$8.75
$8.68
$8.11
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 71 mOhms 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 99 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET
Hoja de datos
890En existencias
$10.43
$5.63
$5.16
$5.04
$4.68
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 114 mOhms 30 V 6.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 231A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,090En existencias
$21.06
$12.05
$11.23
$11.09
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 77 A 51 mOhms 30 V 6.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 10A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,940En existencias
$5.28
$3.93
$3.07
$2.50
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 204 mOhms 30 V 6.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 61 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,933En existencias
$8.50
$4.50
$4.12
$3.85
$3.56
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 114 mOhms 30 V 6.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 165A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,102En existencias
$17.56
$9.78
$9.28
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 55 A 71 mOhms 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2,003En existencias
$8.44
$4.47
$4.08
$3.54
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 153 mOhms 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,969En existencias
$7.61
$3.99
$3.64
$3.07
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 153 mOhms 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,649En existencias
$5.95
$3.06
$2.78
$2.38
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 185 mOhms 30 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 42A N-CH MOSFET
Hoja de datos
24En existencias
$6.06
$3.15
$2.85
$2.34
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 260 mOhms 30 V 6 V 20 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube