MOSFET de potencia de canal P de 12 V a 250 V

Los MOSFET de potencia de canal P de 12 V a 250 V de Infineon ofrecen al diseñador una nueva opción que puede simplificar los circuitos, a la vez que optimizan el rendimiento. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Los MOSFET de potencia de canal P son ideales para aplicaciones de protección de batería, protección contra polaridad inversa, cargadores de baterías lineales, conmutación de carga, convertidores CC/CC y unidades de bajo voltaje.

Resultados: 27
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 30,672En existencias
Cinta cortada
$3.21
$1.65
$1.37
$1.15
$1.07
Envase tipo carrete
$1.03
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: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 35 A 38 mOhms 20 V 2.1 V 63 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 2,351En existencias
Cinta cortada
$3.22
$1.57
$1.37
$1.13
$1.07
Envase tipo carrete
$0.971
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 22 A 111 mOhms 20 V 4 V 59 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 2,586En existencias
Cinta cortada
$7.44
$3.89
$3.55
$3.28
Envase tipo carrete
$3.02
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: 1,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 63 A 32 mOhms 20 V 2 V 219 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 4,454En existencias
Cinta cortada
$2.51
$1.20
$1.07
$0.849
$0.801
Envase tipo carrete
$0.688
Min.: 1
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: 2,500
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.7 A 186 mOhms 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 2,171En existencias
Cinta cortada
$1.98
$0.928
$0.826
$0.646
Envase tipo carrete
$0.525
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: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 16.4 A 90 mOhms 20 V 2.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 930En existencias
Cinta cortada
$3.47
$1.72
$1.52
$1.28
Envase tipo carrete
$1.12
$1.07
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Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.8 A 185 mOhms 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V 2,460En existencias
Cinta cortada
$1.11
$0.501
$0.441
$0.337
Envase tipo carrete
$0.259
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: 3,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 250 mOhms 20 V 2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V 36,960En existencias
Cinta cortada
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$0.147
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$0.094
Envase tipo carrete
$0.09
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: 3,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 290 mA 5.5 Ohms 20 V 2 V 290 pC - 55 C + 150 C 960 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 6,570En existencias
Cinta cortada
$7.19
$3.76
$3.42
$3.06
Envase tipo carrete
$2.87
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: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 60 V 100 A 11 mOhms 20 V 1 V 281 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V 3,496En existencias
Cinta cortada
$1.03
$0.467
$0.411
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Envase tipo carrete
$0.272
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Min.: 1
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: 3,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 260 mOhms 20 V 4 V 10.8 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V
5,726Se espera el 15/04/2027
Cinta cortada
$0.429
$0.191
$0.166
$0.124
Envase tipo carrete
$0.113
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: 3,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 550 mA 1.7 Ohms 20 V 2 V 870 pC - 55 C + 150 C 1.04 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 2,131En existencias
Cinta cortada
$3.04
$1.48
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$1.06
Envase tipo carrete
$0.997
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Min.: 1
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: 1,000
Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 6.4 A 67 mOhms 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V 6,691En existencias
Cinta cortada
$8.44
$4.47
$4.08
$3.78
Envase tipo carrete
$3.58
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: 1,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 41 A 72 mOhms 20 V 2 V 224 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 1,504En existencias
2,000Se espera el 26/11/2026
Cinta cortada
$2.74
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$1.18
$0.936
Envase tipo carrete
$0.875
$0.764
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: 1,000
Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 3.9 A 67 mOhms 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V 7,724En existencias
Cinta cortada
$2.95
$1.43
$1.28
$1.02
Envase tipo carrete
$0.891
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Min.: 1
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: 2,500
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 9 A 420 mOhms 20 V 2 V 43 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 697En existencias
$7.90
$4.16
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Si Through Hole P-Channel 1 Channel 100 V 62 A 33 mOhms 20 V 4 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 1,309En existencias
2,500Se espera el 26/10/2026
Cinta cortada
$2.87
$1.39
$1.24
$0.988
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Envase tipo carrete
$0.816
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: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 22 A 65 mOhms 20 V 2.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 3,643En existencias
Cinta cortada
$1.11
$0.502
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$0.338
Envase tipo carrete
$0.303
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Min.: 1
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: 1,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 1.29 A 1.38 Ohms 20 V 2 V 11.6 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 5,658En existencias
9,000Se espera el 26/10/2026
Cinta cortada
$0.845
$0.378
$0.332
$0.251
Envase tipo carrete
$0.224
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 990 mA 2 Ohms 20 V 2 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 6,699En existencias
6,000Se espera el 26/10/2026
Cinta cortada
$0.832
$0.376
$0.30
Envase tipo carrete
$0.25
$0.228
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 1.1 A 750 mOhms 20 V 1 V 4 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 813En existencias
2,000Se espera el 17/11/2026
Cinta cortada
$0.975
$0.443
$0.391
$0.298
Envase tipo carrete
$0.296
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 1.55 A 980 Ohms 20 V 2 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 312En existencias
3,000Se espera el 26/10/2026
Cinta cortada
$6.83
$3.68
$3.35
$2.98
Envase tipo carrete
$2.81
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 62 A 33 mOhms 20 V 4 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 687En existencias
Cinta cortada
$2.69
$1.29
$1.16
$0.919
$0.867
Envase tipo carrete
$0.757
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.9 A 178 mOhms 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 1,855En existencias
2,500Se espera el 25/02/2027
Cinta cortada
$1.65
$0.767
$0.681
$0.529
Envase tipo carrete
$0.41
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 6.5 A 250 mOhms 20 V 2.1 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS 2,006En existencias
2,000Se espera el 03/12/2026
Cinta cortada
$1.60
$0.746
$0.662
$0.514
Envase tipo carrete
$0.497
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 2.8 A 125 mOhms 20 V 2.1 V 20.2 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel