NVMFS5C604N Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFS5C604N Single N-Channel Power MOSFET features a 288A continuous drain current, 1.2mΩ at 10V RDS(ON), and 60V drain-to-source voltage. The NVMFS5C604N is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101-qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO 131En existencias
Cinta cortada
$13.86
$9.80
$8.16
$7.28
$6.80
Envase tipo carrete
$6.80
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 288 A 1.2 mOhms 20 V 4 V 80 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO 1,055En existencias
Cinta cortada
$10.35
$6.92
$5.56
$4.94
$4.38
Envase tipo carrete
$4.38
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO 950En existencias
Cinta cortada
$12.30
$8.66
$6.99
$6.23
$5.51
Envase tipo carrete
$5.51
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 1.2 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET 43En existencias
9,000En pedido
Cinta cortada
$10.44
$6.98
$5.62
$4.99
$4.42
Envase tipo carrete
$4.42
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET 46En existencias
10,500En pedido
Cinta cortada
$9.70
$6.49
$5.21
$4.63
$4.11
Envase tipo carrete
$4.11
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500
: 1,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
6,900Se espera el 12/01/2027
Cinta cortada
$14.27
$10.09
$8.40
$7.49
$7.01
Envase tipo carrete
$7.01
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 60 V 288 A 1.2 mOhms 20 V 4 V 80 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
1,500Se espera el 01/03/2027
Cinta cortada
$9.70
$6.49
$5.21
Envase tipo carrete
$5.21
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500
Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 1.2 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Envase tipo carrete
$4.00
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 60 V 40 A, 287 A 930 uOhms 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 3.9 W, 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel