Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 18

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
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IPD50R950CEAUMA1

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726-IPD50R950CEAUMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

500 V

6.6 A

2.25 Ohms

20 V

3 V

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+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R500CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $1.87
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IPD50R500CEAUMA1

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726-IPD50R500CEAUMA1

NRND

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$0.61

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $3.89
2,500En existencias
2,000Se espera el 11/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R190CEXKSA2

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Infineon Technologies

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2,000Se espera el 11/11/2026

$3.89

$1.98

$1.73

$1.35

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+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $2.68
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IPD50R280CEAUMA1

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726-IPD50R280CEAUMA1

Infineon Technologies

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Enhancement

CoolMOS

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IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $1.74
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N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

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500 V

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+ 150 C

26.4 W

Enhancement

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Tube

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IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
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IPA50R950CEXKSA2

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726-IPA50R950CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

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$0.706

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Enhancement

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Tube

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IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $2.43
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N.º de artículo del Fabricante
IPA50R280CEXKSA2

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726-IPA50R280CEXKSA2

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18.1 A

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3.5 V

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Enhancement

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IPD50R380CEAUMA1
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IPD50R380CEAUMA1

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726-IPD50R380CEAUMA1

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4,458En existencias

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IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $1.96
912En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R500CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R500CEXKSA2

Fin de vida útil

Infineon Technologies

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912En existencias

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R380CE
Infineon Technologies
1: $2.30
658En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R380CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CE

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658En existencias

$2.30

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R380CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $2.42
1,475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R380CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CEXKSA2

Infineon Technologies

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1,475En existencias

$2.42

$1.78

$1.13

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TO-220-3

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1 Channel

500 V

14.1 A

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20 V

2.5 V

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+ 150 C

29.2 W

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: $0.975
2,622En existencias
6,000Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R2K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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2,622En existencias

6,000Se espera el 29/10/2026

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$0.975

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$0.39

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SMD/SMT

SOT-223-3

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1 Channel

500 V

2.4 A

4.68 Ohms

20 V

2.5 V

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CE
Infineon Technologies
1: $3.78
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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Hoja de datos

500En existencias

$3.78

$2.44

$1.68

$1.35

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

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20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
1: $3.71
460En existencias
1,000Se espera el 24/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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Hoja de datos

460En existencias

1,000Se espera el 24/09/2026

$3.71

$1.64

$1.50

$1.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

170 mOhms

20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R800CE
Infineon Technologies
1: $1.98
239En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R800CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CE

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

239En existencias

$1.98

$1.22

$0.805

$0.633

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

720 mOhms

20 V

2.5 V

12.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
1: $1.07
3,034En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R1K4CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,034En existencias

Cinta cortada

$1.07

$0.502

$0.443

$0.338

Envase tipo carrete

$0.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

500 V

3.1 A

3.28 Ohms

20 V

2.5 V

8.2 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $1.21
68En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R2K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R2K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

68En existencias

Cinta cortada

$1.21

$0.725

$0.511

$0.367

$0.322

Envase tipo carrete

$0.259

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3.6 A

2 Ohms

20 V

3 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R3K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $0.962
2,350En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R3K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R3K0CEAUMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

2,350En pedido

Cinta cortada

$0.962

$0.593

$0.382

$0.291

$0.261

Envase tipo carrete

$0.229

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

2.6 A

3 Ohms

20 V

3 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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