CoolSiC™ Automotive 1700V MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1700V MOSFETs enable flyback topologies for auxiliary power supplies and DC-DC converters. These devices have continuous DC drain current (IDDC) for Rth(j-c,max) between 7.4A and 15A at 25°C and between 5.6A and 10.5A at 100°C. The Infineon Technologies SiC Trench MOSFET technology offers 0V/20V gate-source voltage driving, compatible with most flyback controllers for automotive applications.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK 62En existencias
2,000En pedido
Cinta cortada
$7.68
$4.03
$3.68
$3.34
Envase tipo carrete
$2.86
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT PG-TO263-7-U01 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 752 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 14 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK 105En existencias
500En pedido
Cinta cortada
$9.88
$5.32
$4.88
$4.67
Envase tipo carrete
$3.84
$3.81
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT PG-TO263-7-U01 1 Channel 1.7 kV 15 A 340 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
750En pedido
Cinta cortada
$9.22
$5.04
$4.62
$4.32
Envase tipo carrete
$3.41
$3.33
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT PG-TO263-7-U01 1 Channel 1.7 kV 11.2 A 485 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 17.5 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement